Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3
;
SIS606BDN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIS606BDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 298.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS606BDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100В 9,4А/35,3А PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 100В
    • Номинальный ток при VDS(on) = 10В (ID(on)): 9,4А
    • Пиковый ток (ID(peak)): 35,3А
    • Тип пакета: PPAK
    • Тип MOSFET: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление нагрузкой
    • Малый размер и легкий вес
    • Низкое сопротивление ресистора ON
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при высоких токах
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электронных устройствах
    • Регулировка тока в батарейных системах
    • Переключение высоких токов в силовых цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы энергоснабжения
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIS606BDN-T1-GE3

Техническая документация

SIS606BDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 6166 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    298 ₽
  • 10
    229 ₽
  • 100
    163 ₽
  • 1000
    122 ₽
  • 6000
    100 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIS606BDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 298.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS606BDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100В 9,4А/35,3А PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 100В
    • Номинальный ток при VDS(on) = 10В (ID(on)): 9,4А
    • Пиковый ток (ID(peak)): 35,3А
    • Тип пакета: PPAK
    • Тип MOSFET: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление нагрузкой
    • Малый размер и легкий вес
    • Низкое сопротивление ресистора ON
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при высоких токах
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электронных устройствах
    • Регулировка тока в батарейных системах
    • Переключение высоких токов в силовых цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы энергоснабжения
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIS606BDN-T1-GE3

Техническая документация

SIS606BDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории