Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3
;
SIS698DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIS698DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 217.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS698DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 100В 6.9А PPAK1212-8 — это полупроводниковый транзистор с низким напряжением гати (N-канальный MOSFET) производства Vishay / Siliconix. Основные параметры:

  • Напряжение блокировки VDS(on): 100В
  • Ток при VDS(on) = 10В ID: 6.9А
  • Пакет: PPAK1212-8

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении гати
  • Малое сопротивление при нахождении в режиме насыщения
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Компактный размер пакета

Минусы:

  • Необходимо учесть тепловые потери при длительной работе
  • Требуется правильное охлаждение для предотвращения перегрева

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и низкое сопротивление. Применяется в:

  • Источниках питания
  • Регуляторах напряжения
  • Инверторах
  • Драйверах
  • Инверторах для приводов двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SIS698DN-T1-GE3

Техническая документация

SIS698DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2690 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    217 ₽
  • 10
    135 ₽
  • 500
    69 ₽
  • 3000
    55 ₽
  • 9000
    46 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIS698DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 217.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS698DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 100В 6.9А PPAK1212-8 — это полупроводниковый транзистор с низким напряжением гати (N-канальный MOSFET) производства Vishay / Siliconix. Основные параметры:

  • Напряжение блокировки VDS(on): 100В
  • Ток при VDS(on) = 10В ID: 6.9А
  • Пакет: PPAK1212-8

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении гати
  • Малое сопротивление при нахождении в режиме насыщения
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Компактный размер пакета

Минусы:

  • Необходимо учесть тепловые потери при длительной работе
  • Требуется правильное охлаждение для предотвращения перегрева

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и низкое сопротивление. Применяется в:

  • Источниках питания
  • Регуляторах напряжения
  • Инверторах
  • Драйверах
  • Инверторах для приводов двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SIS698DN-T1-GE3

Техническая документация

SIS698DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории