Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3
;
SIS888DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIS888DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 404.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS888DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) нейтрального типа с напряжением включения 150 В и током тока 20.2 А. Он представлен в пакете PPAK (Power Package).

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение включения: 150 В
    • Ток тока: 20.2 А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки
    • Малые потери при работе
    • Устойчивость к шумам
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Могут возникать проблемы с перегоранием при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Импульсное управление
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Энергосберегающие приборы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Настольные компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики SIS888DN-T1-GE3

Техническая документация

SIS888DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3916 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    404 ₽
  • 10
    259 ₽
  • 100
    175 ₽
  • 1000
    132 ₽
  • 6000
    109 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIS888DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 404.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS888DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) нейтрального типа с напряжением включения 150 В и током тока 20.2 А. Он представлен в пакете PPAK (Power Package).

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение включения: 150 В
    • Ток тока: 20.2 А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки
    • Малые потери при работе
    • Устойчивость к шумам
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Могут возникать проблемы с перегоранием при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Импульсное управление
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Энергосберегающие приборы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Настольные компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики SIS888DN-T1-GE3

Техническая документация

SIS888DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории