Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

SIS903DN-T1-GE3

В избранное
В сравнение

SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

;

SIS903DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SIS903DN-T1-GE3
Описание:
Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212Все характеристики

Минимальная цена SIS903DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 278.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS903DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Основные параметры:

Тип: Двухканальный N-канальный MOSFET
Материал: Si (Silicon)
Количество каналов: 2
Пакет: POWERPAK 1212
Номинальный напряжение блокировки: 45 В
Номинальная токовая способность: 2 А на канал

Плюсы:

Высокая надежность
Доступная цена
Устойчивость к электрическим шумам
Простота использования

Минусы:

Не подходит для высокочастотных приложений
Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

Регулировка напряжения
Защита от перегрузки
Переключение высоких токов

В каких устройствах применяется:

Автомобильные системы управления
Питание бытовой техники
Системы питания серверных шкафов
Инверторы
Промышленное оборудование

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIS903DN-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора
Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2565pF @ 10V
Рассеивание мощности
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Корпус
PowerPAK® 1212-8 Dual
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Product Number
SIS903

Техническая документация

SIS903DN-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

10061 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
278 ₽
10
175 ₽
500
91 ₽
3000
73 ₽
9000
65 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SIS903DN-T1-GE3
Описание:
Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212Все характеристики

Минимальная цена SIS903DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 278.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS903DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Основные параметры:

Тип: Двухканальный N-канальный MOSFET
Материал: Si (Silicon)
Количество каналов: 2
Пакет: POWERPAK 1212
Номинальный напряжение блокировки: 45 В
Номинальная токовая способность: 2 А на канал

Плюсы:

Высокая надежность
Доступная цена
Устойчивость к электрическим шумам
Простота использования

Минусы:

Не подходит для высокочастотных приложений
Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

Регулировка напряжения
Защита от перегрузки
Переключение высоких токов

В каких устройствах применяется:

Автомобильные системы управления
Питание бытовой техники
Системы питания серверных шкафов
Инверторы
Промышленное оборудование

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIS903DN-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора
Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2565pF @ 10V
Рассеивание мощности
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Корпус
PowerPAK® 1212-8 Dual
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Product Number
SIS903

Техническая документация

SIS903DN-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SQJ262EP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

349Кешбэк 52 балла

SIZF906BDT-T1-GE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

508Кешбэк 76 баллов

SIZ340BDT-T1-GE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

206Кешбэк 30 баллов

SIZ988DT-T1-GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

335Кешбэк 50 баллов

SQJQ906E-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

623Кешбэк 93 балла

SIZ350DT-T1-GE3 Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

307Кешбэк 46 баллов

SIA938DJT-T1-GE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

171Кешбэк 25 баллов

SIS903DN-T1-GE3 Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

278Кешбэк 41 балл

SIZ260DT-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3

322Кешбэк 48 баллов

SQJ912DEP-T1_GE3 Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (

289Кешбэк 43 балла

SQJ914EP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

340Кешбэк 51 балл

SI6954ADQ-T1-BE3 Транзистор: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY SW

316Кешбэк 47 баллов

SQJB40EP-T1_BE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M

318Кешбэк 47 баллов

SQ3989EV-T1_BE3 Транзистор: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

158Кешбэк 23 балла

SQJ560EP-T1_BE3 Транзистор: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C

348Кешбэк 52 балла

SI6926ADQ-T1-BE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFE

329Кешбэк 49 баллов

SI1900DL-T1-GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

164Кешбэк 24 балла

SQJ940EP-T1_GE3 MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

368Кешбэк 55 баллов

SIZ270DT-T1-GE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

360Кешбэк 54 балла

SI1922EDH-T1-BE3 Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

121Кешбэк 18 баллов

SQ4937EY-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC

338Кешбэк 50 баллов

SQJ504EP-T1_BE3 Транзистор: N- AND P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C

370Кешбэк 55 баллов

SQJ204EP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

373Кешбэк 55 баллов

SIA928DJ-T1-GE3 Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6

79Кешбэк 11 баллов

SQJB68EP-T1_BE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C

257Кешбэк 38 баллов

SIZ980DT-T1-GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

399Кешбэк 59 баллов

SI4946CDY-T1-GE3 Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

222Кешбэк 33 балла

SI7252ADP-T1-GE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

436Кешбэк 65 баллов

SI5948DU-T1-GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK

193Кешбэк 28 баллов

SQS966ENW-T1_GE3 Транзистор: MOSFET N-CHAN 60V

188Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Драйверы питания - Модули

Модули драйверов питания

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диоды выпрямительные - Модули

Тиристоры - SCR - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Биполярные транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - программируемые однопереходные

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Варикапы и Варакторы

Симисторы

Высокочастотные биполярные транзисторы

IGBT транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диоды - выпрямители - массивы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Диоды - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы

Транзисторы - IGBT - одиночные

Полевые транзисторы - Сборки

Принадлежности

Диоды силовые

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диодные мосты - Модули

Транзисторы - Модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды выпрямительные - Одиночные

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диоды выпрямительные - Сборки

Высокочастотные полевые транзисторы

Триодные тиристоры - Модули

Диоды - мостовые выпрямители

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - IGBT - модули

Симисторы - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - Специального назначения

Высокочастотные диоды

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды - выпрямители - одиночные

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - JFET

Полевые транзисторы - Модули

Тиристоры - SCR

Диодные мосты

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали