Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SIS990DN-T1-GE3
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIS990DN-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS990DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 214.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS990DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SIS990DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Base Product Number
    SIS990
Техническая документация
 SIS990DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 17161 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    214 ₽
  • 10
    144 ₽
  • 500
    88 ₽
  • 3000
    64 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIS990DN-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS990DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 214.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS990DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SIS990DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Base Product Number
    SIS990
Техническая документация
 SIS990DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN62D0UT-7MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523
    56Кешбэк 8 баллов
    ZXMP6A16DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
    323Кешбэк 48 баллов
    FDS9926AТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
    204Кешбэк 30 баллов
    EMH2604-TL-HТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A EMH8
    74Кешбэк 11 баллов
    NTMD2C02R2GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
    91Кешбэк 13 баллов
    DMN61D8LVT-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
    143Кешбэк 21 балл
    CSD86330Q3DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
    292Кешбэк 43 балла
    FDME1034CZTТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
    223Кешбэк 33 балла
    SIA906EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
    164Кешбэк 24 балла
    SI7956DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
    771Кешбэк 115 баллов
    ECH8660-TL-HТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH
    134Кешбэк 20 баллов
    ALD212900PALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
    1 539Кешбэк 230 баллов
    FDG6302PТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    FDS6892AZТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    216Кешбэк 32 балла
    DMG1016V-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
    101Кешбэк 15 баллов
    EM5K5T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
    119Кешбэк 17 баллов
    SI1539CDL-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V SOT363
    22Кешбэк 3 балла
    NDS9945Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
    139Кешбэк 20 баллов
    NTMFD4C88NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
    331Кешбэк 49 баллов
    SI6913DQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
    398Кешбэк 59 баллов
    CSD85302LTТранзистор: MOSFET 2N-CH
    318Кешбэк 47 баллов
    BUK7K35-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A LFPAK56D
    206Кешбэк 30 баллов
    SSM6L09FUTE85LFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
    89Кешбэк 13 баллов
    SI4554DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    TPS1120DRТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
    623Кешбэк 93 балла
    NDS9948Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC
    203Кешбэк 30 баллов
    NTHD4102PT1GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
    290Кешбэк 43 балла
    DMC4047LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC
    190Кешбэк 28 баллов
    SI4900DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    333Кешбэк 49 баллов
    SI6562CDQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
    151Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП