Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3
;
SISH112DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISH112DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 376.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH112DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3 — это MOSFET (MOS-FET) с низким уровнем напряжения ввода, производимый компанией Vishay Semiconductors. MOSFET является типом полевого транзистора, используемого для управления электрическим током.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 30В
    • Максимальный ток проводимости: 11.3А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень напряжения ввода
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Небольшой пакет может ограничивать количество тепла, которое может быть выделено

Общее назначение: MOSFET SISH112DN-T1-GE3 используется для управления токами в различных приборах и системах, где требуется высокая скорость переключения и управление током с низким уровнем напряжения ввода. Он подходит для применения в:

  • Электронных цепях управления
  • Питания и преобразования напряжений
  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателей
  • Приборах для бытовых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики SISH112DN-T1-GE3

Техническая документация

SISH112DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5760 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    376 ₽
  • 10
    241 ₽
  • 100
    163 ₽
  • 1000
    122 ₽
  • 6000
    99 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISH112DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 376.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH112DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3 — это MOSFET (MOS-FET) с низким уровнем напряжения ввода, производимый компанией Vishay Semiconductors. MOSFET является типом полевого транзистора, используемого для управления электрическим током.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 30В
    • Максимальный ток проводимости: 11.3А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень напряжения ввода
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Небольшой пакет может ограничивать количество тепла, которое может быть выделено

Общее назначение: MOSFET SISH112DN-T1-GE3 используется для управления токами в различных приборах и системах, где требуется высокая скорость переключения и управление током с низким уровнем напряжения ввода. Он подходит для применения в:

  • Электронных цепях управления
  • Питания и преобразования напряжений
  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателей
  • Приборах для бытовых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики SISH112DN-T1-GE3

Техническая документация

SISH112DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории