Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISH114ADN-T1-GE3

SISH114ADN-T1-GE3

SISH114ADN-T1-GE3
;
SISH114ADN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISH114ADN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH114ADN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH114ADN-T1-GE3

SISH114ADN-T1-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Vishay Semiconductors. MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)) = 30В
    • Максимальный ток (ID(on)) = 18А / 35А
    • Пакет PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к электрическому шуму
    • Малый размер и легкость в установке
    • Низкий уровень тепловыделения
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений без дополнительного компонентарного оборудования
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение тока
    • Управление потребителями энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства питания
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SISH114ADN-T1-GE3

Техническая документация

SISH114ADN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 10327 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 ₽
  • 1000
    62 ₽
  • 6000
    51 ₽
  • 24000
    45 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISH114ADN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH114ADN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH114ADN-T1-GE3

SISH114ADN-T1-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Vishay Semiconductors. MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)) = 30В
    • Максимальный ток (ID(on)) = 18А / 35А
    • Пакет PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к электрическому шуму
    • Малый размер и легкость в установке
    • Низкий уровень тепловыделения
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений без дополнительного компонентарного оборудования
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение тока
    • Управление потребителями энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства питания
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SISH114ADN-T1-GE3

Техническая документация

SISH114ADN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории