Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISH116DN-T1-GE3

SISH116DN-T1-GE3

SISH116DN-T1-GE3
;
SISH116DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISH116DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 450.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH116DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH116DN-T1-GE3

SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД: 40В
    • Размер токового тока: 10.5А
    • Пакет: PPAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо учесть параметры при проектировании
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Работа в конвертерах напряжения
    • Использование в электронных устройствах для управления током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах бытовой техники
    • Инверторах
    • Компьютерных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SISH116DN-T1-GE3

Техническая документация

SISH116DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 20923 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    450 ₽
  • 10
    291 ₽
  • 100
    198 ₽
  • 500
    159 ₽
  • 3000
    127 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISH116DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 450.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH116DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH116DN-T1-GE3

SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД: 40В
    • Размер токового тока: 10.5А
    • Пакет: PPAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо учесть параметры при проектировании
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Работа в конвертерах напряжения
    • Использование в электронных устройствах для управления током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах бытовой техники
    • Инверторах
    • Компьютерных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SISH116DN-T1-GE3

Техническая документация

SISH116DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории