Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3
;
SISH402DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SISH402DN-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAKВсе характеристики

Минимальная цена SISH402DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH402DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) с напряжением разрыва поля 30В и током тока 19А/35А в корпусе PPAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва поля: 30В
    • Ток тока: 19А/35А
    • Корпус: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер корпуса
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного термического дизайна для эффективного отвода тепла
    • Возможны проблемы при работе в условиях высоких температур без адекватного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Обеспечение тока для различных приборов и систем
    • Изменение состояния цепей
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики SISH402DN-T1-GE3

Техническая документация

SISH402DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 6333 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    226 ₽
  • 10
    160 ₽
  • 500
    89 ₽
  • 3000
    71 ₽
  • 9000
    63 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SISH402DN-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAKВсе характеристики

Минимальная цена SISH402DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH402DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) с напряжением разрыва поля 30В и током тока 19А/35А в корпусе PPAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва поля: 30В
    • Ток тока: 19А/35А
    • Корпус: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер корпуса
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного термического дизайна для эффективного отвода тепла
    • Возможны проблемы при работе в условиях высоких температур без адекватного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Обеспечение тока для различных приборов и систем
    • Изменение состояния цепей
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики SISH402DN-T1-GE3

Техническая документация

SISH402DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории