Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3
;
SISH625DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISH625DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 179.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH625DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK — это полупроводниковый транзистор с током проводимости до 17.3 А при частоте 30 В и до 35 А при частоте 1 В. Он выполнен в пакете PPAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS): 30 В
    • Ток проводимости (ID): 17.3 А при частоте 30 В, 35 А при частоте 1 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Устойчивость к перегреву
    • Малое сопротивление
    • Минимальное энергетическое затраты при работе
  • Минусы:
    • Необходима дополнительная защита от перегрузки и перегрева
    • Могут быть ограничения по использованию в некоторых конкретных приложениях из-за конструкции пакета
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача тока в электронных устройствах
    • Контроль работы других компонентов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства для управления током
    • Инверторы
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики SISH625DN-T1-GE3

Техническая документация

SISH625DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5096 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    179 ₽
  • 10
    122 ₽
  • 50
    87 ₽
  • 100
    76 ₽
  • 500
    72 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISH625DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 179.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISH625DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK — это полупроводниковый транзистор с током проводимости до 17.3 А при частоте 30 В и до 35 А при частоте 1 В. Он выполнен в пакете PPAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS): 30 В
    • Ток проводимости (ID): 17.3 А при частоте 30 В, 35 А при частоте 1 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Устойчивость к перегреву
    • Малое сопротивление
    • Минимальное энергетическое затраты при работе
  • Минусы:
    • Необходима дополнительная защита от перегрузки и перегрева
    • Могут быть ограничения по использованию в некоторых конкретных приложениях из-за конструкции пакета
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача тока в электронных устройствах
    • Контроль работы других компонентов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства для управления током
    • Инверторы
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики SISH625DN-T1-GE3

Техническая документация

SISH625DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории