Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3
;
SISHA10DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISHA10DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISHA10DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS) - 30В
    • Размерный ток (ID) - 25А или 30А
    • Пакет (Package) - PPAK
    • Тип - N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый размер и легкий вес благодаря пакету PPAK
    • Хорошая управляемость
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к скачкам напряжения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют точного управления для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой проводимости
    • Применяются в системах питания
    • Используются в инверторах и преобразователях
    • Подходят для применения в промышленной и автомобильной электронике
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника (адаптеры зарядки, системы питания)
    • Промышленное оборудование (инверторы, преобразователи)
    • Электронные устройства с высокими требованиями к проводимости
Выбрано: Показать

Характеристики SISHA10DN-T1-GE3

Техническая документация

SISHA10DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2178 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    248 ₽
  • 10
    157 ₽
  • 500
    90 ₽
  • 3000
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISHA10DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISHA10DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS) - 30В
    • Размерный ток (ID) - 25А или 30А
    • Пакет (Package) - PPAK
    • Тип - N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый размер и легкий вес благодаря пакету PPAK
    • Хорошая управляемость
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к скачкам напряжения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют точного управления для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой проводимости
    • Применяются в системах питания
    • Используются в инверторах и преобразователях
    • Подходят для применения в промышленной и автомобильной электронике
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника (адаптеры зарядки, системы питания)
    • Промышленное оборудование (инверторы, преобразователи)
    • Электронные устройства с высокими требованиями к проводимости
Выбрано: Показать

Характеристики SISHA10DN-T1-GE3

Техническая документация

SISHA10DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории