Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISHA12ADN-T1-GE3

SISHA12ADN-T1-GE3

SISHA12ADN-T1-GE3
;
SISHA12ADN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISHA12ADN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISHA12ADN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISHA12ADN-T1-GE3

SISHA12ADN-T1-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с высоким напряжением срабатывания и высокой плотностью мощности. Вот основные характеристики:

  • Напряжение срабатывания (VGS(th)): 12 В
  • Номинальное напряжение (VDS): 30 В
  • Максимальная токовая способность: 22 А (в режиме импульсного тока), 25 А (в режиме непрерывного тока)
  • Пакет: PPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокая скорость переключения
  • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету PPAK
  • Высокая теплопроводность, что позволяет эффективно отводить тепло

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение для работы при высоких токах
  • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными моделями

Общее назначение: Используются в различных приложениях, требующих управления большим количеством тока при номинальном напряжении до 30 В. Это могут быть:

  • Автомобильные системы питания и зарядки
  • Регуляторы напряжения
  • Инверторы
  • Блоки питания для электронных устройств
  • Измерительные приборы и промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SISHA12ADN-T1-GE3

Техническая документация

SISHA12ADN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2560 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    230 ₽
  • 10
    142 ₽
  • 500
    74 ₽
  • 3000
    59 ₽
  • 9000
    50 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISHA12ADN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISHA12ADN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISHA12ADN-T1-GE3

SISHA12ADN-T1-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с высоким напряжением срабатывания и высокой плотностью мощности. Вот основные характеристики:

  • Напряжение срабатывания (VGS(th)): 12 В
  • Номинальное напряжение (VDS): 30 В
  • Максимальная токовая способность: 22 А (в режиме импульсного тока), 25 А (в режиме непрерывного тока)
  • Пакет: PPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокая скорость переключения
  • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету PPAK
  • Высокая теплопроводность, что позволяет эффективно отводить тепло

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение для работы при высоких токах
  • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными моделями

Общее назначение: Используются в различных приложениях, требующих управления большим количеством тока при номинальном напряжении до 30 В. Это могут быть:

  • Автомобильные системы питания и зарядки
  • Регуляторы напряжения
  • Инверторы
  • Блоки питания для электронных устройств
  • Измерительные приборы и промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SISHA12ADN-T1-GE3

Техническая документация

SISHA12ADN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории