Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISS05DN-T1-GE3

SISS05DN-T1-GE3

SISS05DN-T1-GE3
;
SISS05DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISS05DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 254.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS05DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS05DN-T1-GE3

SISS05DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток при низком сопротивлении: 29.4А
    • Максимальный ток при низком сопротивлении: 108А
    • Форм-фактор: PPAK (пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая способность к переносу тока
    • Низкое сопротивление в насыщенном режиме
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность и легкость установки
  • Минусы:
    • Неустойчивость к обратному напряжению
    • Необходимость использования диодов для защиты от обратного напряжения
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электронных устройствах
    • Регулирование напряжений
    • Переключение токов в силовых системах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы питания и зарядки
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SISS05DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS05DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2465 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    254 ₽
  • 5
    224 ₽
  • 25
    202 ₽
  • 100
    187 ₽
  • 500
    176 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISS05DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 254.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS05DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS05DN-T1-GE3

SISS05DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток при низком сопротивлении: 29.4А
    • Максимальный ток при низком сопротивлении: 108А
    • Форм-фактор: PPAK (пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая способность к переносу тока
    • Низкое сопротивление в насыщенном режиме
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность и легкость установки
  • Минусы:
    • Неустойчивость к обратному напряжению
    • Необходимость использования диодов для защиты от обратного напряжения
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электронных устройствах
    • Регулирование напряжений
    • Переключение токов в силовых системах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы питания и зарядки
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SISS05DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS05DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории