Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISS06DN-T1-GE3

SISS06DN-T1-GE3

SISS06DN-T1-GE3
;
SISS06DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISS06DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 274.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS06DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS06DN-T1-GE3

SISS06DN-T1-GE3 — это ненасытивный MOSFET с напряжением разрежения канала 30В, предназначен для применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение разрежения канала (VGS(th)): 3.5В при TC = 25°C
    • Размер токов:
      • Максимальный ток прямого тока (ID(on)): 47.6А
      • Максимальный ток прямого тока (ID(off)): 172.6А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий уровень тока течения в режиме OFF
    • Малые размеры и легкость в установке
    • Высокая надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Не рекомендовано использовать при высоких температурах без дополнительного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и мощности в различных электронных устройствах
    • Изменение тока в цепях
    • Использование в системах управления двигателей и преобразователей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Преобразователи напряжения
    • Мощные источники питания
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики SISS06DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS06DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 14667 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    274 ₽
  • 10
    186 ₽
  • 100
    132 ₽
  • 1000
    95 ₽
  • 6000
    78 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISS06DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 274.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS06DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS06DN-T1-GE3

SISS06DN-T1-GE3 — это ненасытивный MOSFET с напряжением разрежения канала 30В, предназначен для применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение разрежения канала (VGS(th)): 3.5В при TC = 25°C
    • Размер токов:
      • Максимальный ток прямого тока (ID(on)): 47.6А
      • Максимальный ток прямого тока (ID(off)): 172.6А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий уровень тока течения в режиме OFF
    • Малые размеры и легкость в установке
    • Высокая надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Не рекомендовано использовать при высоких температурах без дополнительного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и мощности в различных электронных устройствах
    • Изменение тока в цепях
    • Использование в системах управления двигателей и преобразователей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Преобразователи напряжения
    • Мощные источники питания
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики SISS06DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS06DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории