Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3
;
SISS10ADN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISS10ADN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS10ADN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения (VGS(th)): ≤ 2.5 В
    • Максимальный ток в режиме прямого протока (ID(on)): 31.7 А
    • Максимальный ток в режиме вспышек (ID(rms)): 109 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 40 В
    • Форм-фактор: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к вспышкам тока
    • Компактная конструкция (PPAK)
    • Низкое напряжение смещения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
    • Требует дополнительных компонентов для защиты при работе в условиях вспышек тока
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регуляторах напряжения
    • Силовых конвертерах
    • Применение в системах управления энергопотреблением
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства с высокими требованиями к производительности
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Энергоэффективные системы освещения
Выбрано: Показать

Характеристики SISS10ADN-T1-GE3

Техническая документация

SISS10ADN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    276 ₽
  • 10
    174 ₽
  • 500
    91 ₽
  • 3000
    72 ₽
  • 9000
    65 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISS10ADN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS10ADN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения (VGS(th)): ≤ 2.5 В
    • Максимальный ток в режиме прямого протока (ID(on)): 31.7 А
    • Максимальный ток в режиме вспышек (ID(rms)): 109 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 40 В
    • Форм-фактор: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к вспышкам тока
    • Компактная конструкция (PPAK)
    • Низкое напряжение смещения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
    • Требует дополнительных компонентов для защиты при работе в условиях вспышек тока
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регуляторах напряжения
    • Силовых конвертерах
    • Применение в системах управления энергопотреблением
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства с высокими требованиями к производительности
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Энергоэффективные системы освещения
Выбрано: Показать

Характеристики SISS10ADN-T1-GE3

Техническая документация

SISS10ADN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории