Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISS22LDN-T1-GE3

SISS22LDN-T1-GE3

SISS22LDN-T1-GE3
;
SISS22LDN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISS22LDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 324.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS22LDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS22LDN-T1-GE3

SISS22LDN-T1-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Vishay Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 60В
  • Номинальный ток: 25.5А (в режиме работы при 25°C)
  • Размеры пакета: PPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественной технологии производства.
  • Эффективность благодаря низкому сопротивлению.
  • Малый размер, что позволяет использовать его в компактных устройствах.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее производительными MOSFET.
  • Требуется дополнительное охлаждение для поддержания эффективной работы при высоких нагрузках.

Общее назначение и применение:

  • Питание электронных устройств, требующих высокой мощности.
  • Автомобильная электроника, где важна надежность и компактность.
  • Промышленное оборудование, требующее точного контроля над током.
Выбрано: Показать

Характеристики SISS22LDN-T1-GE3

Техническая документация

SISS22LDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 7359 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    324 ₽
  • 10
    205 ₽
  • 100
    138 ₽
  • 1000
    99 ₽
  • 6000
    82 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISS22LDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 324.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS22LDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS22LDN-T1-GE3

SISS22LDN-T1-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Vishay Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 60В
  • Номинальный ток: 25.5А (в режиме работы при 25°C)
  • Размеры пакета: PPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественной технологии производства.
  • Эффективность благодаря низкому сопротивлению.
  • Малый размер, что позволяет использовать его в компактных устройствах.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее производительными MOSFET.
  • Требуется дополнительное охлаждение для поддержания эффективной работы при высоких нагрузках.

Общее назначение и применение:

  • Питание электронных устройств, требующих высокой мощности.
  • Автомобильная электроника, где важна надежность и компактность.
  • Промышленное оборудование, требующее точного контроля над током.
Выбрано: Показать

Характеристики SISS22LDN-T1-GE3

Техническая документация

SISS22LDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории