Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISS30DN-T1-GE3

SISS30DN-T1-GE3

SISS30DN-T1-GE3
;
SISS30DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISS30DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 250.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS30DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS30DN-T1-GE3

SISS30DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Предел тока (ID(on)): 15.9А при TC = 25°C, 54.7А при TC = 250°C
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: PPAK (Power Plastic Flat Package)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый тепловыделение при высоких нагрузках
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малые размеры и легкость монтажа благодаря компактному корпусу
  • Минусы:
    • Существует риск перегорания при неправильном использовании
    • Необходимо соблюдать правильную термическую регулировку для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регуляторы напряжения
    • Инверторы
    • Переключатели
    • Применяются в бытовой технике, электронных устройствах и системах управления
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства для потребителей
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SISS30DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS30DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 12177 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    250 ₽
  • 10
    173 ₽
  • 500
    104 ₽
  • 3000
    84 ₽
  • 9000
    76 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISS30DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 250.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS30DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS30DN-T1-GE3

SISS30DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Предел тока (ID(on)): 15.9А при TC = 25°C, 54.7А при TC = 250°C
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: PPAK (Power Plastic Flat Package)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый тепловыделение при высоких нагрузках
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малые размеры и легкость монтажа благодаря компактному корпусу
  • Минусы:
    • Существует риск перегорания при неправильном использовании
    • Необходимо соблюдать правильную термическую регулировку для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регуляторы напряжения
    • Инверторы
    • Переключатели
    • Применяются в бытовой технике, электронных устройствах и системах управления
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства для потребителей
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SISS30DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS30DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории