Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3
;
SISS65DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISS65DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 239.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS65DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Предел тока проводимости (ID): 25.9А
    • Предел тока спурт-сгорания (IDS(TH)): 94А
    • Тип пакета: PPAK
    • Тип канала: P-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокий коэффициент передачи (VGS(th))
    • Высокие значения тока проводимости и спурт-сгорания
    • Малый размер и вес благодаря компактному пакету PPAK
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами MOSFET
    • Требуется тщательное проектирование для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высоких значений тока проводимости
    • Применяется в системах питания и преобразователях
    • Используется в схемах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления двигателем
    • Мощных преобразователях питания
    • Системах управления мощностью в бытовой технике
    • Устройствах с высокими требованиями к надежности и производительности
Выбрано: Показать

Характеристики SISS65DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS65DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 69406 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    239 ₽
  • 10
    151 ₽
  • 500
    77 ₽
  • 3000
    61 ₽
  • 9000
    55 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISS65DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 239.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS65DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Предел тока проводимости (ID): 25.9А
    • Предел тока спурт-сгорания (IDS(TH)): 94А
    • Тип пакета: PPAK
    • Тип канала: P-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокий коэффициент передачи (VGS(th))
    • Высокие значения тока проводимости и спурт-сгорания
    • Малый размер и вес благодаря компактному пакету PPAK
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами MOSFET
    • Требуется тщательное проектирование для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высоких значений тока проводимости
    • Применяется в системах питания и преобразователях
    • Используется в схемах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления двигателем
    • Мощных преобразователях питания
    • Системах управления мощностью в бытовой технике
    • Устройствах с высокими требованиями к надежности и производительности
Выбрано: Показать

Характеристики SISS65DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS65DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории