Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SIZ342DT-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3
;
SIZ342DT-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIZ342DT-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3Все характеристики

Минимальная цена SIZ342DT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 270.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIZ342DT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3 VISHAY — это транзистор MOSFET (полупроводниковый транзистор с металлическим оксидным слоем), который предназначен для работы в силовых приложениях. Основные характеристики:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рейтинг напряжения: 30В
  • Рейтинг тока: 342А
  • Количество элементов: 3x3

Плюсы:

  • Высокая conductive способность
  • Малое сопротивление в режиме провода
  • Низкий уровень диссипации тепла
  • Долгий срок службы
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Относительно высокая стоимость по сравнению с транзисторами других типов
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Существуют ограничения по рабочей температуре

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями
  • Переключение высоких токов
  • Применяется в силовых преобразователях
  • Используется в инверторах и преобразователях питания

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах управления
  • Системах питания компьютеров и серверов
  • Промышленных преобразователях
  • Телевизорах и мониторах
  • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIZ342DT-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15.7A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    650pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    3.6W, 4.3W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Исполнение корпуса
    8-Power33 (3x3)
  • Base Product Number
    SIZ342

Техническая документация

 SIZ342DT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2070 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    270 ₽
  • 10
    170 ₽
  • 100
    113 ₽
  • 500
    86 ₽
  • 1000
    84 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIZ342DT-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3Все характеристики

Минимальная цена SIZ342DT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 270.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIZ342DT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3 VISHAY — это транзистор MOSFET (полупроводниковый транзистор с металлическим оксидным слоем), который предназначен для работы в силовых приложениях. Основные характеристики:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рейтинг напряжения: 30В
  • Рейтинг тока: 342А
  • Количество элементов: 3x3

Плюсы:

  • Высокая conductive способность
  • Малое сопротивление в режиме провода
  • Низкий уровень диссипации тепла
  • Долгий срок службы
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Относительно высокая стоимость по сравнению с транзисторами других типов
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Существуют ограничения по рабочей температуре

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями
  • Переключение высоких токов
  • Применяется в силовых преобразователях
  • Используется в инверторах и преобразователях питания

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах управления
  • Системах питания компьютеров и серверов
  • Промышленных преобразователях
  • Телевизорах и мониторах
  • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIZ342DT-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15.7A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    650pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    3.6W, 4.3W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Исполнение корпуса
    8-Power33 (3x3)
  • Base Product Number
    SIZ342

Техническая документация

 SIZ342DT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FS50KM-2#E52DISCRETE / POWER MOSFET
    387Кешбэк 58 баллов
    2SK2059L-E3A, 600V, N-CHANNEL MOSFET
    445Кешбэк 66 баллов
    2SK1626-E5A, 450V, N-CHANNEL MOSFET
    419Кешбэк 62 балла
    FS50KM-06-AX#E51DISCRETE / POWER MOSFET
    387Кешбэк 58 баллов
    2SK2725-E5A, 500V, N-CHANNEL MOSFET
    962Кешбэк 144 балла
    2N7002KDWТранзистор: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
    43Кешбэк 6 баллов
    SI1965DH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
    141Кешбэк 21 балл
    SI1967DH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
    122Кешбэк 18 баллов
    SI1902DL-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
    132Кешбэк 19 баллов
    SQJ260EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    330Кешбэк 49 баллов
    SIZ980BDT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
    356Кешбэк 53 балла
    SIZ240DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
    411Кешбэк 61 балл
    SQ1539EH-T1_GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6
    69Кешбэк 10 баллов
    SQJ974EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    291Кешбэк 43 балла
    SIZ342DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
    270Кешбэк 40 баллов
    SI1036X-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
    96Кешбэк 14 баллов
    SIZ322DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
    200Кешбэк 30 баллов
    SQ4940AEY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
    189Кешбэк 28 баллов
    GE17042CCA3Транзистор: 1700V 425A SIC HALF-BRIDGE MODUL
    499 293Кешбэк 74 893 балла
    GE17080CDA3Транзистор: 1700V 765A SIC HALF-BRIDGE MODUL
    998 587Кешбэк 149 788 баллов
    GE17045EEA3Транзистор: 1700V 425A SiC Six-Pack Module
    1 936 036Кешбэк 290 405 баллов
    GE12047BCA3Транзистор: 1200V 475A SiC Dual Module
    397 397Кешбэк 59 609 баллов
    GE17042BCA3Транзистор: 1700V 425A SIC DUAL MODULE
    499 293Кешбэк 74 893 балла
    NP30N04QUK-E1-AYТранзистор: POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS 8P HSO
    608Кешбэк 91 балл
    CAB006A12GM3Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE,ALN
    45 815Кешбэк 6 872 балла
    CAB425M12XM3Транзистор: 1.2KV, 425A SWITCHING LOSS OPTIM
    135 220Кешбэк 20 283 балла
    CAB016M12FM3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 1.2KV 78A MODULE
    18 680Кешбэк 2 802 балла
    CAB011M12FM3Транзистор: 1200V SIC H-BRIDGE MODULE
    22 893Кешбэк 3 433 балла
    CCB032M12FM3Транзистор: 1200V SIC 6-PACK MODULE
    23 468Кешбэк 3 520 баллов
    CAB008A12GM3Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE, ALN
    38 850Кешбэк 5 827 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП