Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
SMMBT5551LT3G
  • В избранное
  • В сравнение
SMMBT5551LT3G

SMMBT5551LT3G

SMMBT5551LT3G
;
SMMBT5551LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBT5551LT3G
  • Описание:
    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SMMBT5551LT3G при покупке от 1 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBT5551LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBT5551LT3G

SMMBT5551LT3G onsemi TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение операции: 160В
    • Максимальный ток: 0.6А
    • Пакет: SOT23-3
    • Тип: TRANS NPN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Компактный размер пакета
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Легко интегрируется в электронные схемы
  • Минусы:
    • Максимальный ток ограничено (0.6А)
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за возможных небольших вариаций характеристик
  • Общее назначение:
    • Используется в различных приложениях, требующих управляющего транзистора NPN типа
    • Подходит для цифровых и аналоговых схем
    • Способствует управлению нагрузками в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Диагностические приборы
    • Автомобильная электроника
    • Маломощные электроприборы
    • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBT5551LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBT5551

Техническая документация

 SMMBT5551LT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 9941 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    40 ₽
  • 100
    15 ₽
  • 1000
    9.6 ₽
  • 5000
    7.3 ₽
  • 20000
    5.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBT5551LT3G
  • Описание:
    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SMMBT5551LT3G при покупке от 1 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBT5551LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBT5551LT3G

SMMBT5551LT3G onsemi TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение операции: 160В
    • Максимальный ток: 0.6А
    • Пакет: SOT23-3
    • Тип: TRANS NPN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Компактный размер пакета
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Легко интегрируется в электронные схемы
  • Минусы:
    • Максимальный ток ограничено (0.6А)
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за возможных небольших вариаций характеристик
  • Общее назначение:
    • Используется в различных приложениях, требующих управляющего транзистора NPN типа
    • Подходит для цифровых и аналоговых схем
    • Способствует управлению нагрузками в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Диагностические приборы
    • Автомобильная электроника
    • Маломощные электроприборы
    • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBT5551LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBT5551

Техническая документация

 SMMBT5551LT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MSD601-RT1GТранзистор: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
    36Кешбэк 5 баллов
    SBC847CWT3GTRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
    36Кешбэк 5 баллов
    NSVMMBT5401LT3GTRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    SBC856BLT1GTRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    MMBTA14LT1GTRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    KSA1298YMTFTRANS PNP 25V 0.8A SOT23-3
    37.5Кешбэк 5 баллов
    BCP69T1Транзистор
    38Кешбэк 5 баллов
    MPS2222RLRPGTRANS NPN 30V 0.6A TO92
    38Кешбэк 5 баллов
    MMBT2222AM3T5GТранзистор: TRANS NPN 40V 0.6A SOT723
    38Кешбэк 5 баллов
    MMBTA63LT1GTRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    MPS2222GTRANS NPN 30V 0.6A TO92
    38Кешбэк 5 баллов
    BCP68T1Транзистор
    38Кешбэк 5 баллов
    MPSW06TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3
    38Кешбэк 5 баллов
    SMMBT3906WT1GTRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
    38Кешбэк 5 баллов
    CPH6121-TL-ETRANS PNP 12V 3A 6CPH
    38Кешбэк 5 баллов
    BC369ZL1GTRANS PNP 20V 1A TO92
    38Кешбэк 5 баллов
    BC639-16ZL1GTRANS NPN 80V 1A TO92
    38Кешбэк 5 баллов
    KSC3265YMTFTRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
    39.6Кешбэк 5 баллов
    MBT35200MT2GTRANS PNP 35V 2A 6TSOP
    40Кешбэк 6 баллов
    CPH6102-TL-ETRANS PNP 50V 1A CPH6
    40Кешбэк 6 баллов
    SMMBT5551LT1GTRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    40Кешбэк 6 баллов
    SMMBT5551LT3GTRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    40Кешбэк 6 баллов
    SMMBTA13LT1GТранзистор: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
    40Кешбэк 6 баллов
    NSVBC848BWT1GTRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
    40Кешбэк 6 баллов
    BD682STRANS PNP DARL 100V 4A TO126-3
    40Кешбэк 6 баллов
    SBF720T1GTRANS NPN 300V 0.1A SOT223
    40Кешбэк 6 баллов
    BC547CTFRTRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    41Кешбэк 6 баллов
    2N5550TFRTRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
    41Кешбэк 6 баллов
    NSVBC858AWT1GTRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
    42Кешбэк 6 баллов
    PCP1103-P-TD-HTRANS PNP 30V 1.5A PCP
    43Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторные модули
    Модули триодных тиристоров
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП