Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SMSD1002T1G

SMSD1002T1G

SMSD1002T1G
;
SMSD1002T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SMSD1002T1G при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMSD1002T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMSD1002T1G

Диод SMSD1002T1G от On Semiconductor:

  • Тип: TRANS NPN
  • Оболочка: SOD123

Основные параметры:

  • ICM (максимальный коэффициент усиления): 250
  • VBE(on) (напряжение затвора-;base при переходе в режим насыщения): 400 мВ
  • VCEO (максимальное напряжение между затвором и эмиттером): 100 В
  • ICM (максимальный ток затвора): 1 А

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое напряжение затвора-;base
  • Устойчивость к шумам

Минусы:

  • Высокие потери энергии при работе в режиме насыщения
  • Требует дополнительных компонентов для стабилизации работы

Общее назначение:

  • Использование в схемах регулирования напряжения
  • Компенсация разности уровней напряжения
  • Защита от обратного напряжения

Применение в устройствах:

  • Автомобильные системы управления
  • Инверторы
  • Системы питания
  • Коммутирующие преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SMSD1002T1G

  • 26135 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    52 ₽
  • 100
    20 ₽
  • 1000
    13 ₽
  • 6000
    9.7 ₽
  • 15000
    8.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SMSD1002T1G при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMSD1002T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMSD1002T1G

Диод SMSD1002T1G от On Semiconductor:

  • Тип: TRANS NPN
  • Оболочка: SOD123

Основные параметры:

  • ICM (максимальный коэффициент усиления): 250
  • VBE(on) (напряжение затвора-;base при переходе в режим насыщения): 400 мВ
  • VCEO (максимальное напряжение между затвором и эмиттером): 100 В
  • ICM (максимальный ток затвора): 1 А

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое напряжение затвора-;base
  • Устойчивость к шумам

Минусы:

  • Высокие потери энергии при работе в режиме насыщения
  • Требует дополнительных компонентов для стабилизации работы

Общее назначение:

  • Использование в схемах регулирования напряжения
  • Компенсация разности уровней напряжения
  • Защита от обратного напряжения

Применение в устройствах:

  • Автомобильные системы управления
  • Инверторы
  • Системы питания
  • Коммутирующие преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SMSD1002T1G

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории