Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
SMUN2211T3G
  • В избранное
  • В сравнение
SMUN2211T3G

SMUN2211T3G

SMUN2211T3G
;
SMUN2211T3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMUN2211T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена SMUN2211T3G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN2211T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN2211T3G

SMUN2211T3G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50В 100мА SC59

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение на коллекторе: 50В
    • Номинальный ток на каскаде: 100мА
    • Код обозначения корпуса: SC59
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря предварительномуbias-у
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Малый размер корпуса для SC59
  • Минусы:
    • Максимальный ток каскада ограничен 100мА
    • Низкая мощность (не подходит для высокопроизводительных приложений)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений
    • Усилители сигнала
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Периферийное оборудование
    • Системы управления светотехникой
    • Инверторы питания
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN2211T3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    230 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    SMUN2211

Техническая документация

 SMUN2211T3G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMUN2211T3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59Все характеристики

Минимальная цена SMUN2211T3G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN2211T3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN2211T3G

SMUN2211T3G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50В 100мА SC59

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение на коллекторе: 50В
    • Номинальный ток на каскаде: 100мА
    • Код обозначения корпуса: SC59
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря предварительномуbias-у
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Малый размер корпуса для SC59
  • Минусы:
    • Максимальный ток каскада ограничен 100мА
    • Низкая мощность (не подходит для высокопроизводительных приложений)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений
    • Усилители сигнала
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Периферийное оборудование
    • Системы управления светотехникой
    • Инверторы питания
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN2211T3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    230 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    SMUN2211

Техническая документация

 SMUN2211T3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PDTA143TM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5240T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    5.7Кешбэк 1 балл
    PDTA144TM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    13Кешбэк 1 балл
    DDTC114YCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    37Кешбэк 5 баллов
    PDTC114YU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    DDTD142JC-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    50Кешбэк 7 баллов
    PDTA124XM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTC144WMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTC144WMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    DDTA144GCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    24Кешбэк 3 балла
    PDTA144WMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA144WMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTA115TU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSBA115TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA144TU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    7.4Кешбэк 1 балл
    BCR116E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    PDTA124XMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA124XMB - SMALL
    16.7Кешбэк 2 балла
    PDTC124EE,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
    5.6Кешбэк 1 балл
    PDTA113EMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA113EMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTA113EM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA123EMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA123EMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBA123TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA144VMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA144VMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTA143XQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA124EMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA124EMB - SMALL
    16.7Кешбэк 2 балла
    PDTA123EM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5140T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    5.7Кешбэк 1 балл
    PDTA114EQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA124EE,115TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTA143EQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA143ZQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA114YQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП