SMUN5114DW1T1G

Транзистор SMUN5114DW1T1G onsemi

• Название типа: TRANS 2PNP PREBIAS
• Мощность: 0.187 Вт
• Оболочка: SOT363

Основные параметры:

• V_CEO: 50 В
• I_C(max): 100 мА
• β_(hfe): 100-400 (при V_CE=5В, I_C=10мА)

Плюсы:

• Высокая предварительная подстройка (PREBIAS), что обеспечивает стабильное поведение при изменении температуры.
• Малый размер корпуса, что позволяет использовать его в компактных устройствах.
• Устойчивость к электрическим шумам, благодаря использованию технологии PNP.

Минусы:

• Меньшая мощность, что ограничивает его использование в высокомощных приложениях.
• Ограниченный ток, что также влияет на область применения.

Общее назначение:

• Регулирование напряжения,
• Управление нагрузками,
• Инверторы,
• Преобразователи,
• Измерительные приборы.

В каких устройствах применяется:

• Системы управления освещением,
• Автомобильные системы,
• Игровые приставки,
• Переносные устройства,
• Компьютерные периферийные устройства.