Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SMUN5230DW1T1G

SMUN5230DW1T1G

SMUN5230DW1T1G
;
SMUN5230DW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SMUN5230DW1T1G при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5230DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5230DW1T1G

Транзистор SMUN5230DW1T1G onsemi:

  • Тип: Транзистор NPN с предсателлентом
  • Мощность: 0.187 Вт
  • Пакет: SOT363

Основные параметры:

  • VCEO: 30 В
  • IC(max): 500 mA
  • hFE (min): 40

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря предсателленту
  • Устойчивость к перегреву
  • Низкое значение дросселирующего сопротивления

Минусы:

  • Меньшая мощность по сравнению с другими типами транзисторов
  • Меньше термостабильности при больших мощностях

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
  • Амплитудное усиление сигнала
  • Драйверы для индуктивных нагрузок

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника
  • Мобильные устройства
  • Игровые консоли
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5230DW1T1G

Техническая документация

SMUN5230DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2922 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    76 ₽
  • 100
    29 ₽
  • 1000
    19.2 ₽
  • 6000
    9 ₽
  • 15000
    8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SMUN5230DW1T1G при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5230DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5230DW1T1G

Транзистор SMUN5230DW1T1G onsemi:

  • Тип: Транзистор NPN с предсателлентом
  • Мощность: 0.187 Вт
  • Пакет: SOT363

Основные параметры:

  • VCEO: 30 В
  • IC(max): 500 mA
  • hFE (min): 40

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря предсателленту
  • Устойчивость к перегреву
  • Низкое значение дросселирующего сопротивления

Минусы:

  • Меньшая мощность по сравнению с другими типами транзисторов
  • Меньше термостабильности при больших мощностях

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
  • Амплитудное усиление сигнала
  • Драйверы для индуктивных нагрузок

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника
  • Мобильные устройства
  • Игровые консоли
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5230DW1T1G

Техническая документация

SMUN5230DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории