Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SMUN5235DW1T1G

SMUN5235DW1T1G

SMUN5235DW1T1G
;
SMUN5235DW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SMUN5235DW1T1G при покупке от 1 шт 42.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5235DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5235DW1T1G

Транзистор SMUN5235DW1T1G ONSEMI

  • Тип: 2NPN прецизионный предварительно подобранный транзистор
  • Мощность: 0.187 Вт
  • Оболочка: SOT363

Основные параметры:

  • VCEO: 50 В
  • IC(max): 250 mA
  • β (hFE): 50-300

Плюсы:

  • Высокая стабильность характеристик
  • Удобная установка благодаря компактному корпусу SOT363
  • Простота подключения и настройки

Минусы:

  • Низкая мощность (0.187 Вт) ограничивает область применения
  • Средний коэффициент усиления β может быть недостаточным для некоторых высокочастотных приложений

Общее назначение:

  • Амплитудное усиление сигнала
  • Каскадирование с другими транзисторами
  • Импульсное управление

В каких устройствах применяется:

  • Радиоприемники
  • Микроконтроллерные системы
  • Аудиоусилители
  • Программируемые логические узлы
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5235DW1T1G

Техническая документация

SMUN5235DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 5980 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    42 ₽
  • 50
    21 ₽
  • 500
    13.3 ₽
  • 3000
    10 ₽
  • 15000
    8.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SMUN5235DW1T1G при покупке от 1 шт 42.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5235DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5235DW1T1G

Транзистор SMUN5235DW1T1G ONSEMI

  • Тип: 2NPN прецизионный предварительно подобранный транзистор
  • Мощность: 0.187 Вт
  • Оболочка: SOT363

Основные параметры:

  • VCEO: 50 В
  • IC(max): 250 mA
  • β (hFE): 50-300

Плюсы:

  • Высокая стабильность характеристик
  • Удобная установка благодаря компактному корпусу SOT363
  • Простота подключения и настройки

Минусы:

  • Низкая мощность (0.187 Вт) ограничивает область применения
  • Средний коэффициент усиления β может быть недостаточным для некоторых высокочастотных приложений

Общее назначение:

  • Амплитудное усиление сигнала
  • Каскадирование с другими транзисторами
  • Импульсное управление

В каких устройствах применяется:

  • Радиоприемники
  • Микроконтроллерные системы
  • Аудиоусилители
  • Программируемые логические узлы
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5235DW1T1G

Техническая документация

SMUN5235DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории