Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SP8K33HZGTB
  • В избранное
  • В сравнение
SP8K33HZGTB

SP8K33HZGTB

SP8K33HZGTB
;
SP8K33HZGTB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    SP8K33HZGTB
  • Описание:
    Транзистор: 60V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. SВсе характеристики

Минимальная цена SP8K33HZGTB при покупке от 1 шт 496.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SP8K33HZGTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SP8K33HZGTB

Размеры и производитель:

  • Марка: SP8K33HZGTB
  • Производитель: Rohm Semiconductor

Основные параметры:

  • Тип: Двойной N-канальный мощный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 60В
  • Питание: N-канальный
  • Применение: Для высоковольтных приложений

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественному производству Rohm Semiconductor
  • Малый ток стока при низком напряжении, что снижает потери энергии
  • Быстрая переключаемость, что обеспечивает более эффективную работу в высокочастотных системах

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с менее дорогими MOSFET
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках или частотах

Общее назначение:

  • Контроллеры двигателей
  • Инверторы
  • Электронные системы управления
  • Автомобильная электроника
  • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики SP8K33HZGTB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    48mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    620pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOP

Техническая документация

 SP8K33HZGTB.pdf
pdf. 0 kb
  • 2246 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    496 ₽
  • 10
    322 ₽
  • 100
    221 ₽
  • 500
    179 ₽
  • 2500
    149 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    SP8K33HZGTB
  • Описание:
    Транзистор: 60V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. SВсе характеристики

Минимальная цена SP8K33HZGTB при покупке от 1 шт 496.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SP8K33HZGTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SP8K33HZGTB

Размеры и производитель:

  • Марка: SP8K33HZGTB
  • Производитель: Rohm Semiconductor

Основные параметры:

  • Тип: Двойной N-канальный мощный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 60В
  • Питание: N-канальный
  • Применение: Для высоковольтных приложений

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественному производству Rohm Semiconductor
  • Малый ток стока при низком напряжении, что снижает потери энергии
  • Быстрая переключаемость, что обеспечивает более эффективную работу в высокочастотных системах

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с менее дорогими MOSFET
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках или частотах

Общее назначение:

  • Контроллеры двигателей
  • Инверторы
  • Электронные системы управления
  • Автомобильная электроника
  • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики SP8K33HZGTB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    48mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    620pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOP

Техническая документация

 SP8K33HZGTB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RF1K49223Транзистор: DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
    177Кешбэк 26 баллов
    RF1S17N06LТранзистор: DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
    195Кешбэк 29 баллов
    RFP30N6LER454130A, 60V, LOGIC LEVEL N CHANNEL
    121Кешбэк 18 баллов
    RFP50N06R403450A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
    178Кешбэк 26 баллов
    IRFR1109AТранзистор: PFET, 4.7A I(D), 100V, 0.54OHM,
    97Кешбэк 14 баллов
    RFD8P05SM9AS2463Транзистор: 8A, 50V, 0.300 OHM, P-CHANNEL
    103Кешбэк 15 баллов
    RF1S15N06Транзистор: DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
    154Кешбэк 23 балла
    IRFR2209AТранзистор: PFET, 4.6A I(D), 200V, 0.8OHM, 1
    114Кешбэк 17 баллов
    IRF740S2515Транзистор: 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P
    177Кешбэк 26 баллов
    IRFR420UТранзистор: 2.5A 500V 3.000 OHM N-CHANNEL
    110Кешбэк 16 баллов
    IRFR2209AS2463Транзистор: TO 252 PACKAGE STANDARD GATE DEV
    114Кешбэк 17 баллов
    IRF620R45875.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
    66Кешбэк 9 баллов
    HUF7554S3SТранзистор: HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM
    313Кешбэк 46 баллов
    BUZ60BU400V, N-CHANNEL POWER MOSFET
    2 227Кешбэк 334 балла
    RFF70N06/3Транзистор: 25A, 60V, 0.025 OHMS, N CHANNEL
    10 813Кешбэк 1 621 балл
    MMFT8472DWMOSFET, 50V, 0.115A, N+P, 0.2W
    45Кешбэк 6 баллов
    MMFTN620KDW-AQТранзистор: MOSFET, 60V, 0.35A, N, 0.2W
    60Кешбэк 9 баллов
    MMBT7002DWТранзистор: MOSFET SOT-363 60V 0.115A
    41.4Кешбэк 6 баллов
    BSC072N04LDATMA1Транзистор: TRENCH <= 40V
    318Кешбэк 47 баллов
    BSC150N03LDGATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
    90Кешбэк 13 баллов
    IAUC45N04S6L063HATMA1Транзистор: IAUC45N04S6L063HATMA1
    191Кешбэк 28 баллов
    BSO220N03MDGXUMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
    178Кешбэк 26 баллов
    BSO150N03MDGXUMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
    261Кешбэк 39 баллов
    IPG20N06S4L11ATMA2Транзистор: MOSFET_)40V 60V)
    425Кешбэк 63 балла
    IAUC60N04S6L045HATMA1Транзистор: IAUC60N04S6L045HATMA1
    276Кешбэк 41 балл
    BSC155N06NDATMA1Транзистор: TRENCH 40<-<100V
    281Кешбэк 42 балла
    BSC112N06LDATMA1Транзистор: TRENCH 40<-<100V
    394Кешбэк 59 баллов
    BSC076N04NDATMA1Транзистор: TRENCH <= 40V
    362Кешбэк 54 балла
    BSC0993NDATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 17A TISON8
    285Кешбэк 42 балла
    IAUC60N04S6N031HATMA1Транзистор: IAUC60N04S6N031HATMA1
    281Кешбэк 42 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП