Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SP8M51HZGTB
  • В избранное
  • В сравнение
SP8M51HZGTB

SP8M51HZGTB

SP8M51HZGTB
;
SP8M51HZGTB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    SP8M51HZGTB
  • Описание:
    Транзистор: AUTOMOTIVE 100V NCH+PCH POWER MOВсе характеристики

Минимальная цена SP8M51HZGTB при покупке от 1 шт 430.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SP8M51HZGTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SP8M51HZGTB

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • VCEO = 100В — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером в режиме отключения.
      • NCH+PCH — тип транзистора: N-канальный и P-канальный.
      • POWER MO — мощной MOSFET.
    • Плюсы:
      • Высокая надежность для автомобильных приложений благодаря маркировке AUTOMOTIVE.
      • Мощность и эффективность.
      • Стабильная работа при различных температурных условиях.
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET.
      • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках.
    • Общее назначение:
      • Управление мощными нагрузками в электронных системах.
      • Переключение высоких напряжений.
    • Применяется в:
      • Автомобильных системах управления двигателем.
      • Бортовой электронике.
      • Мощных преобразователях.
Выбрано: Показать

Характеристики SP8M51HZGTB

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta), 2.5A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOP
  • 3090 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    430 ₽
  • 10
    281 ₽
  • 100
    193 ₽
  • 500
    154 ₽
  • 2500
    128 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    SP8M51HZGTB
  • Описание:
    Транзистор: AUTOMOTIVE 100V NCH+PCH POWER MOВсе характеристики

Минимальная цена SP8M51HZGTB при покупке от 1 шт 430.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SP8M51HZGTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SP8M51HZGTB

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • VCEO = 100В — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером в режиме отключения.
      • NCH+PCH — тип транзистора: N-канальный и P-канальный.
      • POWER MO — мощной MOSFET.
    • Плюсы:
      • Высокая надежность для автомобильных приложений благодаря маркировке AUTOMOTIVE.
      • Мощность и эффективность.
      • Стабильная работа при различных температурных условиях.
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET.
      • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках.
    • Общее назначение:
      • Управление мощными нагрузками в электронных системах.
      • Переключение высоких напряжений.
    • Применяется в:
      • Автомобильных системах управления двигателем.
      • Бортовой электронике.
      • Мощных преобразователях.
Выбрано: Показать

Характеристики SP8M51HZGTB

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta), 2.5A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOP

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    QH8KA4TCRТранзистор: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
    295Кешбэк 44 балла
    UT6JB5TCRТранзистор: -40V DUAL PCH+PCH, DFN2020, POWE
    220Кешбэк 33 балла
    HS8K1TBТранзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET
    219Кешбэк 32 балла
    HP8M31TB1Транзистор: HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
    539Кешбэк 80 баллов
    QH8MC5TCRТранзистор: 60V 3.0A/3.5A, DUAL NCH+PCH, TSM
    265Кешбэк 39 баллов
    SH8MA4TB1Транзистор: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
    228Кешбэк 34 балла
    UT6K3TCRТранзистор: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
    139Кешбэк 20 баллов
    SP8M51HZGTBТранзистор: AUTOMOTIVE 100V NCH+PCH POWER MO
    434Кешбэк 65 баллов
    QH8JB5TCRТранзистор: -40V DUAL PCH+PCH SMALL SIGNAL M
    304Кешбэк 45 баллов
    UT6K30TCRТранзистор: UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN
    289Кешбэк 43 балла
    QH8KB5TCRТранзистор: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, TSMT8, S
    207Кешбэк 31 балл
    QH8KA2TCRТранзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET
    211Кешбэк 31 балл
    SH8KA7GZETBТранзистор: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
    480Кешбэк 72 балла
    SH8KA2TB1Транзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET. SH8KA2
    232Кешбэк 34 балла
    SH8KB6TB1Транзистор: 40V 8.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, POW
    263Кешбэк 39 баллов
    SH8M51GZETBТранзистор: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
    311Кешбэк 46 баллов
    SH8MA2GZETBТранзистор: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
    165Кешбэк 24 балла
    SH8K39GZETBТранзистор: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39
    450Кешбэк 67 баллов
    HP8M51TB1Транзистор: HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
    534Кешбэк 80 баллов
    QH8JA1TCRТранзистор: 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,
    261Кешбэк 39 баллов
    QH8KA1TCRТранзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET
    163Кешбэк 24 балла
    SH8M24GZETBТранзистор: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX
    243Кешбэк 36 баллов
    SP8K33HZGTBТранзистор: 60V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S
    500Кешбэк 75 баллов
    SP8M31HZGTBТранзистор: 60V DUAL NCH+PCH AUTOMOTIVE POWE
    552Кешбэк 82 балла
    SH8KA1GZETBТранзистор: SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT
    180Кешбэк 27 баллов
    SH8M31GZETBТранзистор: SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
    354Кешбэк 53 балла
    SH8K37GZETBТранзистор: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G
    293Кешбэк 43 балла
    UT6JA3TCRТранзистор: UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO
    213Кешбэк 31 балл
    QH8KC6TCRТранзистор: 60V 5.5A, DUAL NCH+NCH, TSMT8, S
    322Кешбэк 48 баллов
    UT6KC5TCRТранзистор: 60V 3.5A, DUAL NCH+NCH, DFN2020-
    359Кешбэк 53 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП