Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SPA20N60C3

SPA20N60C3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SPA20N60C3 при покупке от 1 шт 934 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SPA20N60C3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SPA20N60C3

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20.7A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 13.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    114 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    34.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3-111
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • 1 шт
    в наличии
  • 51 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    934 ₽
  • 10
    726 ₽
  • 25
    577 ₽
  • 50
    562 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена SPA20N60C3 при покупке от 1 шт 934 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SPA20N60C3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SPA20N60C3

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20.7A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 13.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    114 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    34.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3-111
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack