Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SPI15N65C3XKSA1

SPI15N65C3XKSA1

SPI15N65C3XKSA1
;
SPI15N65C3XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SPI15N65C3XKSA1 при покупке от 177 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SPI15N65C3XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SPI15N65C3XKSA1

Спецификация MOSFET SPI15N65C3XKSA1 Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рабочее напряжение: 650В
  • Максимальный ток: 15А
  • Пакет: TO262-3

Основные параметры:

  • VGS(th): 4В (максимальное напряжение гейта для достижения определенного уровня тока)
  • RDS(on): 0,015Ω (максимальное сопротивление при прохождении тока)
  • Qg: 7nC (мощность заряда гейта)
  • Tcase max: 150°C (максимальная температура корпуса)

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме нахождения в "на" состоянии
  • Низкое сопротивление при прохождении тока
  • Устойчивость к износу и перегрузкам
  • Компактный размер пакета TO262-3

Минусы:

  • Высокие затраты на заряд гейта могут быть проблемой в некоторых применениях
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках или при работе в условиях высокой температуры

Общее назначение:

  • Использование в различных электронных устройствах для управления токами
  • Применение в источниках питания
  • Интеграция в системы управления двигателем
  • Работа в схемах с переменным током

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателем
  • Источники питания
  • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SPI15N65C3XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280mOhm @ 9.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 675µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO262-3-1
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    SPI15N

Техническая документация

SPI15N65C3XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 177 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SPI15N65C3XKSA1 при покупке от 177 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SPI15N65C3XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SPI15N65C3XKSA1

Спецификация MOSFET SPI15N65C3XKSA1 Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рабочее напряжение: 650В
  • Максимальный ток: 15А
  • Пакет: TO262-3

Основные параметры:

  • VGS(th): 4В (максимальное напряжение гейта для достижения определенного уровня тока)
  • RDS(on): 0,015Ω (максимальное сопротивление при прохождении тока)
  • Qg: 7nC (мощность заряда гейта)
  • Tcase max: 150°C (максимальная температура корпуса)

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме нахождения в "на" состоянии
  • Низкое сопротивление при прохождении тока
  • Устойчивость к износу и перегрузкам
  • Компактный размер пакета TO262-3

Минусы:

  • Высокие затраты на заряд гейта могут быть проблемой в некоторых применениях
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках или при работе в условиях высокой температуры

Общее назначение:

  • Использование в различных электронных устройствах для управления токами
  • Применение в источниках питания
  • Интеграция в системы управления двигателем
  • Работа в схемах с переменным током

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателем
  • Источники питания
  • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SPI15N65C3XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280mOhm @ 9.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 675µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO262-3-1
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    SPI15N

Техническая документация

SPI15N65C3XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 177 шт