SPW20N60C3E8177FKSA1

SPW20N60C3E8177FKSA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET N-CH

• Основные параметры:
• Номинальный ток проводимости (I_DS(on)): 20 А
• Номинальное напряжение на дрене (V_DS(on)): 60 В
• Резистанция при переходе (R_DS(on)): 3.3 мОм при 25°C
• Температурный коэффициент R_DS(on): +1.9 мОм/°C
• Максимальная температура корпуса (T_J(max)): 177°C
• Потребляемая мощность при максимальной температуре (P_D(max)): 124 Вт
• Плюсы:
• Высокая проводимость (низкая R_DS(on))
• Устойчивость к высоким напряжениям
• Малый тепловыделение
• Высокая надежность и долговечность
• Удобство применения в различных устройствах
• Минусы:
• Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует дополнительного охлаждения при работе в условиях высокой мощности
• Общее назначение:
• Использование в схемах регулирования напряжения
• Применение в электронных устройствах, требующих высокой проводимости
• Встроенный в инверторы и преобразователи напряжения
• В качестве ключей в системах управления двигателей
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем и электронные блоки питания
• Преобразователи напряжения для компьютеров и серверов
• Системы управления приводами двигателей
• Электроплиты и нагревательные приборы
• Промышленное оборудование и автоматизация