Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SQ1539EH-T1_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQ1539EH-T1_GE3

SQ1539EH-T1_GE3

SQ1539EH-T1_GE3
;
SQ1539EH-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SQ1539EH-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6Все характеристики

Минимальная цена SQ1539EH-T1_GE3 при покупке от 1 шт 69.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQ1539EH-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQ1539EH-T1_GE3

SQ1539EH-T1_GE3 VISHAY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный, с возможностью работы при напряжении до 30В. Транзистор упакован в POWERPAKSC70-6.

  • Основные параметры:
    • VGS(th) — напряжение ввода для перехода в состояние conduction, обычно около 4В.
    • ID(on) — максимальный ток нагрузки при открытом канале, до 15А.
    • RDS(on) — сопротивление канала при рабочем токе, обычно около 2.2mΩ.
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения.
    • Низкое сопротивление канала при рабочем токе.
    • Малые размеры и легкий вес.
    • Устойчивость к шумам и помехам.
  • Минусы:
    • Наличие минимального напряжения ввода для включения.
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших токах.
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях.
    • Регулировка мощности в различных устройствах.
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах.
  • Применение:
    • Автомобильные системы.
    • Электронные блоки управления.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Мощные источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики SQ1539EH-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    850mA (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    48pF @ 15V, 50pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Base Product Number
    SQ1539

Техническая документация

 SQ1539EH-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4315 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    69 ₽
  • 10
    51 ₽
  • 50
    38.5 ₽
  • 250
    34.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SQ1539EH-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6Все характеристики

Минимальная цена SQ1539EH-T1_GE3 при покупке от 1 шт 69.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQ1539EH-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQ1539EH-T1_GE3

SQ1539EH-T1_GE3 VISHAY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный, с возможностью работы при напряжении до 30В. Транзистор упакован в POWERPAKSC70-6.

  • Основные параметры:
    • VGS(th) — напряжение ввода для перехода в состояние conduction, обычно около 4В.
    • ID(on) — максимальный ток нагрузки при открытом канале, до 15А.
    • RDS(on) — сопротивление канала при рабочем токе, обычно около 2.2mΩ.
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения.
    • Низкое сопротивление канала при рабочем токе.
    • Малые размеры и легкий вес.
    • Устойчивость к шумам и помехам.
  • Минусы:
    • Наличие минимального напряжения ввода для включения.
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших токах.
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях.
    • Регулировка мощности в различных устройствах.
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах.
  • Применение:
    • Автомобильные системы.
    • Электронные блоки управления.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Мощные источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики SQ1539EH-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    850mA (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    48pF @ 15V, 50pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Base Product Number
    SQ1539

Техническая документация

 SQ1539EH-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FS50KM-2#E52DISCRETE / POWER MOSFET
    387Кешбэк 58 баллов
    2SK2059L-E3A, 600V, N-CHANNEL MOSFET
    445Кешбэк 66 баллов
    2SK1626-E5A, 450V, N-CHANNEL MOSFET
    419Кешбэк 62 балла
    FS50KM-06-AX#E51DISCRETE / POWER MOSFET
    387Кешбэк 58 баллов
    2SK2725-E5A, 500V, N-CHANNEL MOSFET
    962Кешбэк 144 балла
    2N7002KDWТранзистор: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
    43Кешбэк 6 баллов
    SI1965DH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
    141Кешбэк 21 балл
    SI1967DH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
    122Кешбэк 18 баллов
    SI1902DL-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
    132Кешбэк 19 баллов
    SQJ260EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    330Кешбэк 49 баллов
    SIZ980BDT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
    356Кешбэк 53 балла
    SIZ240DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
    411Кешбэк 61 балл
    SQ1539EH-T1_GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6
    69Кешбэк 10 баллов
    SQJ974EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    291Кешбэк 43 балла
    SIZ342DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
    270Кешбэк 40 баллов
    SI1036X-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
    96Кешбэк 14 баллов
    SIZ322DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
    200Кешбэк 30 баллов
    SQ4940AEY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
    189Кешбэк 28 баллов
    GE17042CCA3Транзистор: 1700V 425A SIC HALF-BRIDGE MODUL
    499 293Кешбэк 74 893 балла
    GE17080CDA3Транзистор: 1700V 765A SIC HALF-BRIDGE MODUL
    998 587Кешбэк 149 788 баллов
    GE17045EEA3Транзистор: 1700V 425A SiC Six-Pack Module
    1 936 036Кешбэк 290 405 баллов
    GE12047BCA3Транзистор: 1200V 475A SiC Dual Module
    397 397Кешбэк 59 609 баллов
    GE17042BCA3Транзистор: 1700V 425A SIC DUAL MODULE
    499 293Кешбэк 74 893 балла
    NP30N04QUK-E1-AYТранзистор: POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS 8P HSO
    608Кешбэк 91 балл
    CAB006A12GM3Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE,ALN
    45 815Кешбэк 6 872 балла
    CAB425M12XM3Транзистор: 1.2KV, 425A SWITCHING LOSS OPTIM
    135 220Кешбэк 20 283 балла
    CAB016M12FM3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 1.2KV 78A MODULE
    18 680Кешбэк 2 802 балла
    CAB011M12FM3Транзистор: 1200V SIC H-BRIDGE MODULE
    22 893Кешбэк 3 433 балла
    CCB032M12FM3Транзистор: 1200V SIC 6-PACK MODULE
    23 468Кешбэк 3 520 баллов
    CAB008A12GM3Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE, ALN
    38 850Кешбэк 5 827 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП