Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SQ4284EY-T1_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQ4284EY-T1_GE3

SQ4284EY-T1_GE3

SQ4284EY-T1_GE3
;
SQ4284EY-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQ4284EY-T1_GE3
  • Описание:
    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена SQ4284EY-T1_GE3 при покупке от 1 шт 434.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQ4284EY-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQ4284EY-T1_GE3

SQ4284EY-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC — это тип MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Vishay Siliconix. Давайте рассмотрим основные характеристики, преимущества и недостатки этого компонента, а также его область применения.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки VDS: 40В
    • Размер тока ID: 8А
    • Количество выводов: 8
    • Пакет: SOIC (Surface Mount Technology)
  • Преимущества:
    • Высокая надежность: производится компанией с хорошей репутацией.
    • Низкое сопротивление: обеспечивает эффективное управление током.
    • Малый размер: позволяет сэкономить место на печатной плате.
    • Устойчивость к шуму: может работать в сложных условиях.
  • Недостатки:
    • Высокая стоимость: по сравнению с менее дорогими аналогами.
    • Требуется правильная термическая проекция: для предотвращения перегрева.
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных устройствах.
    • Переключение высоких напряжений.
    • Снижение потерь энергии.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника.
    • Питание серверных систем.
    • Мощные источники питания.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Микросхемы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики SQ4284EY-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2200pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3.9W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SQ4284

Техническая документация

 SQ4284EY-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 21430 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    434 ₽
  • 10
    279 ₽
  • 100
    190 ₽
  • 500
    152 ₽
  • 2500
    126 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQ4284EY-T1_GE3
  • Описание:
    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена SQ4284EY-T1_GE3 при покупке от 1 шт 434.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQ4284EY-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQ4284EY-T1_GE3

SQ4284EY-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC — это тип MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Vishay Siliconix. Давайте рассмотрим основные характеристики, преимущества и недостатки этого компонента, а также его область применения.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки VDS: 40В
    • Размер тока ID: 8А
    • Количество выводов: 8
    • Пакет: SOIC (Surface Mount Technology)
  • Преимущества:
    • Высокая надежность: производится компанией с хорошей репутацией.
    • Низкое сопротивление: обеспечивает эффективное управление током.
    • Малый размер: позволяет сэкономить место на печатной плате.
    • Устойчивость к шуму: может работать в сложных условиях.
  • Недостатки:
    • Высокая стоимость: по сравнению с менее дорогими аналогами.
    • Требуется правильная термическая проекция: для предотвращения перегрева.
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных устройствах.
    • Переключение высоких напряжений.
    • Снижение потерь энергии.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника.
    • Питание серверных систем.
    • Мощные источники питания.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Микросхемы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики SQ4284EY-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2200pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3.9W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SQ4284

Техническая документация

 SQ4284EY-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TSM8588CS RLGТранзистор: COMPLEMENTARY N & P-CHANNEL POWE
    187Кешбэк 28 баллов
    TSM3911DCX6 RFGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26
    193Кешбэк 28 баллов
    TSM300NB06DCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
    213Кешбэк 31 балл
    TSM4946DCS RLGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 4.5A 8SOP
    230Кешбэк 34 балла
    TSM4953DCS RLGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 4.9A 8SOP
    232Кешбэк 34 балла
    TSM6968SDCA RVGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
    232Кешбэк 34 балла
    TSM8568CS RLGТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 15A/13A 8SOP
    239Кешбэк 35 баллов
    TSM6963SDCA RVGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
    278Кешбэк 41 балл
    TSM680P06DPQ56 RLGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
    285Кешбэк 42 балла
    TSM6502CR RLGТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
    291Кешбэк 43 балла
    TQM150NB04DCR RLGТранзистор: AUTOMOTIVE 40V MOSFET, 15M, DUAL
    352Кешбэк 52 балла
    TSM4925DCS RLGТранзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 7.1A 8SOP
    358Кешбэк 53 балла
    SSM6N35AFE,LFТранзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
    24Кешбэк 3 балла
    SSM6P35AFU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
    54Кешбэк 8 баллов
    SSM6L56FE,LMТранзистор: SMALL-SIGNAL MOSFET 2 IN 1 NCH +
    59Кешбэк 8 баллов
    SSM6N44FU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
    59Кешбэк 8 баллов
    SSM6N16FE,L3FТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
    59Кешбэк 8 баллов
    SSM6N37FU,LFТранзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
    61Кешбэк 9 баллов
    SSM6P15FU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
    61Кешбэк 9 баллов
    SSM6P35AFE,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
    65Кешбэк 9 баллов
    SSM6N17FU(TE85L,F)Транзистор: X34 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFE
    78Кешбэк 11 баллов
    SSM6N35AFU,LFТранзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
    82Кешбэк 12 баллов
    SSM6L36TU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + P-CH
    94Кешбэк 14 баллов
    SSM6N36TU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
    94Кешбэк 14 баллов
    SSM6P36TU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
    94Кешбэк 14 баллов
    SSM6N68NU,LFТранзистор: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
    109Кешбэк 16 баллов
    SSM6L40TU,LFТранзистор: X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
    113Кешбэк 16 баллов
    SSM6N67NU,LFТранзистор: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I
    113Кешбэк 16 баллов
    SSM6N39TU,LFТранзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6
    113Кешбэк 16 баллов
    SSM6L12TU,LFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6
    119Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП