SQD10N30-330H_4GE3

Описание:

• Маркировка SQD10N30-330H_4GE3: Это обозначение MOSFET-транзистора от производителя Vishay Siliconix.

• Назначение: N-канальный MOSFET с напряжением блокировки D-S 300 В.

• Температурный класс: 175°C.

• Интерфейс: 4-pin DPAK (Dual Plastic Axial Package).

Основные параметры:

• VDS (N-блокировка): 300 В.

• Размер тока ID (при VGS = 10 В): до 33 А.

• Предел тока IGT (при VGS = 10 В): 280 мА.

• RDS(on) (при VGS = 10 В): 3.3 Ω.

• Предел температуры (Tj): 175°C.

Плюсы:

• Высокая мощность: способен работать при значительных нагрузках.

• Короткий ток IGT: обеспечивает быстрое включение и выключение.

• Низкое значение RDS(on): снижает потери энергии при работе.

• Высокая термостойкость: может работать при высоких температурах.

Минусы:

• Высокие потери при низком токе: неэффективен при очень малых нагрузках.

• Требует дополнительного охлаждения: особенно при длительной работе при высоких температурах.

• Высокий уровень шума: может вызывать помехи при использовании в электронных устройствах.

Общее назначение и применение:

• Драйверы двигателей: управление электродвигателями в промышленных системах.

• Приводы для конвейеров и станков: управление скоростью и направлением движения.

• Автомобильные системы: регулирование работы моторов и других электрических узлов.

• Энергоэффективные системы: преобразование и распределение энергии в различных приложениях.