Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SQD50N06-09L_GE3
Описание:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252Все характеристики

Минимальная цена SQD50N06-09L_GE3 при покупке от 1 шт 755.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD50N06-09L_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SQD50N06-09L_GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3065 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252AA
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SQD50

Техническая документация

SQD50N06-09L_GE3.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

39071 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
755 ₽
10
645 ₽
100
534 ₽
500
524 ₽
1000
488 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SQD50N06-09L_GE3
Описание:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252Все характеристики

Минимальная цена SQD50N06-09L_GE3 при покупке от 1 шт 755.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD50N06-09L_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SQD50N06-09L_GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3065 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252AA
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SQD50

Техническая документация

SQD50N06-09L_GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

BSZ033NE2LS5ATMA1 MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON

282Кешбэк 42 балла

IRF830ASTRLPBF Транзистор: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

242Кешбэк 36 баллов

SI8817DB-T2-E1 MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT

110Кешбэк 16 баллов

STD4N52K3 MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK

356Кешбэк 53 балла

IRFR9310PBF MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

269Кешбэк 40 баллов

NVTFS4823NWFTWG MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN

308Кешбэк 46 баллов

IRFR420ATRPBF MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

430Кешбэк 64 балла

SI7812DN-T1-E3 MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8

464Кешбэк 69 баллов

SI4463BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO

439Кешбэк 65 баллов

BSC0501NSIATMA1 MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON

274Кешбэк 41 балл

MCH3476-TL-W MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3

28.4Кешбэк 4 балла

BSS138LT3G Транзистор: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

43.5Кешбэк 6 баллов

NDS9430 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

148Кешбэк 22 балла

FDS8670 MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

180Кешбэк 27 баллов

DMP210DUFB4-7B MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN

25.7Кешбэк 3 балла

IRFB3006PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

445Кешбэк 66 баллов

NTD3817NT4G MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A DPAK

43.5Кешбэк 6 баллов

IPP60R520CP N-CHANNEL POWER MOSFET

220Кешбэк 33 балла

BSC0500NSIATMA1 MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON

155Кешбэк 23 балла

AOD4185 Транзистор: MOSFET P-CH 40V 40A TO252

231Кешбэк 34 балла

NTLJS3A18PZTWG MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN

100Кешбэк 15 баллов

IRFH7932TRPBF MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN

320Кешбэк 48 баллов

C3M0065090J Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

3 011Кешбэк 451 балл

IXTP15N50L2 MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB

2 025Кешбэк 303 балла

IRFS4610TRLPBF MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

321Кешбэк 48 баллов

FDB082N15A MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK

1 135Кешбэк 170 баллов

IRFS7437TRLPBF Транзистор: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK

266Кешбэк 39 баллов

SI2328DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

83Кешбэк 12 баллов

STH320N4F6-2 MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK

1 103Кешбэк 165 баллов

IRFZ48RPBF MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

619Кешбэк 92 балла

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Тиристоры - SCR - модули

Высокочастотные полевые транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Диоды силовые

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - Модули

Диоды выпрямительные - Одиночные

Модули драйверов питания

Биполярные транзисторы - Сборки

Транзисторы - IGBT - модули

IGBT транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - IGBT - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Триодные тиристоры - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диодные мосты - Модули

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Тиристоры - SCR

Диодные мосты

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Диоды - выпрямители - массивы

Принадлежности

Триодные тиристоры - Одиночные

Варикапы и Варакторы

Драйверы питания - Модули

Высокочастотные биполярные транзисторы

Полевые транзисторы - Модули

Программируемые однопереходные транзисторы

Диоды - ВЧ

Диоды - мостовые выпрямители

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Симисторы - Модули

Биполярные транзисторы

Транзисторы - JFET

Диоды - выпрямители - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - программируемые однопереходные

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Полевые транзисторы - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Симисторы

Диоды выпрямительные - Сборки

Высокочастотные диоды

Транзисторы - Специального назначения

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали