Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3
;
SQD50P08-25L_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SQD50P08-25L_GE3 при покупке от 1 шт 641.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD50P08-25L_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQD50P08-25L_GE3

Размеры и тип: MOSFET P-канальный, модель SQD50P08-25L_GE3 от Vishay Siliconix.

  • Напряжение приключенного поля (VGS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET он составляет около 4 В.
  • Максимальное напряжение приключенного поля (VGS(max)): 80 В.
  • Максимальный ток прямого тока (ID(on)): 50 А.
  • Пакет: TO252AA.

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении.
  • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету TO252AA.
  • Высокая надежность и долговечность.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее качественными аналогами.
  • Требует дополнительного охлаждения при работе под нагрузками более 50 А.

Общее назначение:

  • Используется в различных приборах и устройствах, требующих высокого тока и напряжения.
  • Подходит для применения в системах управления током, преобразователях напряжения, инверторах и других электронных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах питания и управления.
  • Промышленных преобразователях и инверторах.
  • Электронных системах управления тяговым оборудованием.
  • Системах энергоэффективности и управления энергией.
Выбрано: Показать

Характеристики SQD50P08-25L_GE3

Техническая документация

SQD50P08-25L_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 14969 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    641 ₽
  • 10
    419 ₽
  • 100
    292 ₽
  • 500
    253 ₽
  • 2000
    206 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SQD50P08-25L_GE3 при покупке от 1 шт 641.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD50P08-25L_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQD50P08-25L_GE3

Размеры и тип: MOSFET P-канальный, модель SQD50P08-25L_GE3 от Vishay Siliconix.

  • Напряжение приключенного поля (VGS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET он составляет около 4 В.
  • Максимальное напряжение приключенного поля (VGS(max)): 80 В.
  • Максимальный ток прямого тока (ID(on)): 50 А.
  • Пакет: TO252AA.

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении.
  • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету TO252AA.
  • Высокая надежность и долговечность.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее качественными аналогами.
  • Требует дополнительного охлаждения при работе под нагрузками более 50 А.

Общее назначение:

  • Используется в различных приборах и устройствах, требующих высокого тока и напряжения.
  • Подходит для применения в системах управления током, преобразователях напряжения, инверторах и других электронных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах питания и управления.
  • Промышленных преобразователях и инверторах.
  • Электронных системах управления тяговым оборудованием.
  • Системах энергоэффективности и управления энергией.
Выбрано: Показать

Характеристики SQD50P08-25L_GE3

Техническая документация

SQD50P08-25L_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории