Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SQJ204EP-T1_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3
;
SQJ204EP-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ204EP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8LВсе характеристики

Минимальная цена SQJ204EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 373.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ204EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

  • Основные параметры:
    • Тип: Двухканальный MOSFET N-типа
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 12В
    • Количество каналов: 2
    • Пакет: PPAK SO-8L
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Малый ток утечки при закрытии
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
    • Малые размеры и легкость монтажа благодаря пакету PPAK SO-8L
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для работы с напряжением выше 12В
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких мощностях
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Приведение к нулю сопротивления нагрузки
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Блоки питания
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Питание и управление электронными компонентами
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ204EP-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc), 60A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V, 50nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    27W (Tc), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Base Product Number
    SQJ204

Техническая документация

 SQJ204EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 7840 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    373 ₽
  • 10
    238 ₽
  • 100
    161 ₽
  • 1000
    120 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ204EP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8LВсе характеристики

Минимальная цена SQJ204EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 373.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ204EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

  • Основные параметры:
    • Тип: Двухканальный MOSFET N-типа
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 12В
    • Количество каналов: 2
    • Пакет: PPAK SO-8L
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Малый ток утечки при закрытии
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
    • Малые размеры и легкость монтажа благодаря пакету PPAK SO-8L
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для работы с напряжением выше 12В
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких мощностях
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Приведение к нулю сопротивления нагрузки
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Блоки питания
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Питание и управление электронными компонентами
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ204EP-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc), 60A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V, 50nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    27W (Tc), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Base Product Number
    SQJ204

Техническая документация

 SQJ204EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ262EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    349Кешбэк 52 балла
    SIZF906BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
    508Кешбэк 76 баллов
    SIZ340BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    206Кешбэк 30 баллов
    SIZ988DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    335Кешбэк 50 баллов
    SQJQ906E-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
    623Кешбэк 93 балла
    SIZ350DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    307Кешбэк 46 баллов
    SIA938DJT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    171Кешбэк 25 баллов
    SIS903DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
    278Кешбэк 41 балл
    SIZ260DT-T1-GE3MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
    322Кешбэк 48 баллов
    SQJ912DEP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    289Кешбэк 43 балла
    SQJ914EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
    340Кешбэк 51 балл
    SI6954ADQ-T1-BE3Транзистор: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY SW
    316Кешбэк 47 баллов
    SQJB40EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    318Кешбэк 47 баллов
    SQ3989EV-T1_BE3Транзистор: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
    158Кешбэк 23 балла
    SQJ560EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
    348Кешбэк 52 балла
    SI6926ADQ-T1-BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFE
    329Кешбэк 49 баллов
    SI1900DL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
    164Кешбэк 24 балла
    SQJ940EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
    368Кешбэк 55 баллов
    SIZ270DT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
    360Кешбэк 54 балла
    SI1922EDH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
    121Кешбэк 18 баллов
    SQ4937EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC
    338Кешбэк 50 баллов
    SQJ504EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ204EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
    373Кешбэк 55 баллов
    SIA928DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
    79Кешбэк 11 баллов
    SQJB68EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    257Кешбэк 38 баллов
    SIZ980DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    399Кешбэк 59 баллов
    SI4946CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
    222Кешбэк 33 балла
    SI7252ADP-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
    436Кешбэк 65 баллов
    SI5948DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
    193Кешбэк 28 баллов
    SQS966ENW-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN 60V
    188Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП