Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3
;
SQJ409EP-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SQJ409EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 365.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ409EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с положительным каналом от Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 40В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 60А
  • Пакет: PPAK SO-8

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме ON
  • Низкий коэффициент динамического сопротивления
  • Малый размер и легкость для установки
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Могут возникать проблемы с перегоранием при неправильной эксплуатации

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и низкое сопротивление в режиме ON.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Системах питания
  • Инверторах
  • Электроприводах
  • Мощных цифровых устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ409EP-T1_GE3

Техническая документация

SQJ409EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 19530 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    365 ₽
  • 10
    243 ₽
  • 100
    163 ₽
  • 1000
    120 ₽
  • 6000
    105 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SQJ409EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 365.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ409EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с положительным каналом от Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 40В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 60А
  • Пакет: PPAK SO-8

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме ON
  • Низкий коэффициент динамического сопротивления
  • Малый размер и легкость для установки
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Могут возникать проблемы с перегоранием при неправильной эксплуатации

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и низкое сопротивление в режиме ON.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Системах питания
  • Инверторах
  • Электроприводах
  • Мощных цифровых устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ409EP-T1_GE3

Техническая документация

SQJ409EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории