Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SQJ412EP-T1_GE3
Описание:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SQJ412EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 549.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ412EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SQJ412EP-T1_GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 20 V
Рассеивание мощности (Макс)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® SO-8
Корпус
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SQJ412

Техническая документация

SQJ412EP-T1_GE3.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

2770 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
549 ₽
10
383 ₽
100
267 ₽
500
226 ₽
3000
184 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SQJ412EP-T1_GE3
Описание:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SQJ412EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 549.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ412EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SQJ412EP-T1_GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 20 V
Рассеивание мощности (Макс)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® SO-8
Корпус
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SQJ412

Техническая документация

SQJ412EP-T1_GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SQJQ404E-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

708Кешбэк 106 баллов

DMN3071LFR4-7 MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN

75Кешбэк 11 баллов

BSC670N25NSFDATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1

744Кешбэк 111 баллов

BSC031N06NS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1

628Кешбэк 94 балла

PJD16P06A-AU_L2_000A1 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

204Кешбэк 30 баллов

SIHP5N80AE-GE3 E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

385Кешбэк 57 баллов

PJL9411_R2_00001 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

121Кешбэк 18 баллов

IRFP245 N-CHANNEL POWER MOSFET

273Кешбэк 40 баллов

RTR020P02HZGTL MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3

196Кешбэк 29 баллов

R6011END3TL1 MOSFET N-CH 600V 11A TO252

558Кешбэк 83 балла

RJK0351DPA-WS#J0 N-CHANNEL POWER MOSFET

252Кешбэк 37 баллов

MTB55N06Z N-CHANNEL POWER MOSFET

105Кешбэк 15 баллов

IPD50R280CEAUMA1 MOSFET N-CH 550V 13A TO252

347Кешбэк 52 балла

UF3C065040K3S MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3

3 336Кешбэк 500 баллов

IPP60R180P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3

656Кешбэк 98 баллов

PJA3460_R1_00001 SOT-23, MOSFET

63Кешбэк 9 баллов

NTPF125N65S3H POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

934Кешбэк 140 баллов

NVDS015N15MCT4G PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE

510Кешбэк 76 баллов

IPB065N15N3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

831Кешбэк 124 балла

SI4090BDY-T1-GE3 N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

332Кешбэк 49 баллов

DMPH4015SK3Q-13 MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252

235Кешбэк 35 баллов

DMG1012T-13 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R

50Кешбэк 7 баллов

NVD5C478NT4G MOSFET N-CH 40V 14A/43A DPAK

440Кешбэк 66 баллов

IPC70N04S5L4R2ATMA1 MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

177Кешбэк 26 баллов

NVMFS5C628NLAFT1G MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

620Кешбэк 93 балла

TK15S04N1L,LXHQ MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

176Кешбэк 26 баллов

SIDR610DP-T1-RE3 N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET

603Кешбэк 90 баллов

FQB85N06TM N-CHANNEL POWER MOSFET

250Кешбэк 37 баллов

TSM035NB04CZ MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220

504Кешбэк 75 баллов

SFW9510TM P-CHANNEL POWER MOSFET

103Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - программируемые однопереходные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Принадлежности

Высокочастотные диоды

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Полевые транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы - Сборки

Программируемые однопереходные транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - IGBT - модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Драйверы питания - Модули

Диоды силовые

Симисторы - Модули

Диоды - ВЧ

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы

Диодные мосты

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Высокочастотные биполярные транзисторы

Триодные тиристоры - Одиночные

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды - выпрямители - массивы

Транзисторы - IGBT - одиночные

Модули драйверов питания

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Полевые транзисторы - Одиночные

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диодные мосты - Модули

Полевые транзисторы - Модули

Диоды - мостовые выпрямители

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Тиристоры - SCR

IGBT транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Триодные тиристоры - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - JFET

Симисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные

Транзисторы - Модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали