Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SQJ457EP-T2_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQJ457EP-T2_GE3

SQJ457EP-T2_GE3

SQJ457EP-T2_GE3
;
SQJ457EP-T2_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ457EP-T2_GE3
  • Описание:
    P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SQJ457EP-T2_GE3 при покупке от 1 шт 280.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ457EP-T2_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ457EP-T2_GE3

Размеры и производитель:

  • Маркировка: SQJ457EP-T2_GE3
  • Производитель: Vishay Siliconix

Описание:

  • Тип: P-CHANNEL MOSFET
  • Номинальное напряжение: 60 В
  • Номинальная температура: 175°C
  • Пакет: T2 GE3

Основные параметры:

  • Vds (напряжение между D и S): 60 В
  • Rdson (нормализованное сопротивление канала): 0,027 Ω (при 25°C)
  • Qg (максимальный заряд при переходе): 1,2 nC
  • Id (максимальный ток при Vgs = 0): 1 A
  • Tj (температура корпуса): до 175°C

Плюсы:

  • Высокое напряжение: до 60 В.
  • Низкое сопротивление: Rdson составляет 0,027 Ω при 25°C, что обеспечивает низкую потери энергии.
  • Высокая мощность: способен работать при высоких температурах до 175°C.
  • Корпус: T2 GE3 обеспечивает надежную защиту от перегрева и механических повреждений.

Минусы:

  • Только для P-канальных MOSFET: не подходит для N-канальных приложений.
  • Высокий ток при Vgs = 0: может потребовать дополнительных мер по ограничению тока.

Общее назначение:

  • Блокировки: используется для блокировки высокого напряжения.
  • Переключатели: применяется для переключения высоковольтных цепей.
  • Изоляция: используется для изоляции высоковольтных и низковольтных частей электронной системы.

Применение:

  • Мощные преобразователи: используется в высоковольтных преобразователях питания.
  • Инверторы: применяется в инверторах для преобразования постоянного тока в переменный.
  • Изоляционные преобразователи: используется в изоляционных преобразователях для защиты от перенапряжений.
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ457EP-T2_GE3

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    36A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8

Техническая документация

 SQJ457EP-T2_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 8301 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    280 ₽
  • 10
    176 ₽
  • 500
    92 ₽
  • 3000
    74 ₽
  • 9000
    66 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ457EP-T2_GE3
  • Описание:
    P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SQJ457EP-T2_GE3 при покупке от 1 шт 280.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ457EP-T2_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ457EP-T2_GE3

Размеры и производитель:

  • Маркировка: SQJ457EP-T2_GE3
  • Производитель: Vishay Siliconix

Описание:

  • Тип: P-CHANNEL MOSFET
  • Номинальное напряжение: 60 В
  • Номинальная температура: 175°C
  • Пакет: T2 GE3

Основные параметры:

  • Vds (напряжение между D и S): 60 В
  • Rdson (нормализованное сопротивление канала): 0,027 Ω (при 25°C)
  • Qg (максимальный заряд при переходе): 1,2 nC
  • Id (максимальный ток при Vgs = 0): 1 A
  • Tj (температура корпуса): до 175°C

Плюсы:

  • Высокое напряжение: до 60 В.
  • Низкое сопротивление: Rdson составляет 0,027 Ω при 25°C, что обеспечивает низкую потери энергии.
  • Высокая мощность: способен работать при высоких температурах до 175°C.
  • Корпус: T2 GE3 обеспечивает надежную защиту от перегрева и механических повреждений.

Минусы:

  • Только для P-канальных MOSFET: не подходит для N-канальных приложений.
  • Высокий ток при Vgs = 0: может потребовать дополнительных мер по ограничению тока.

Общее назначение:

  • Блокировки: используется для блокировки высокого напряжения.
  • Переключатели: применяется для переключения высоковольтных цепей.
  • Изоляция: используется для изоляции высоковольтных и низковольтных частей электронной системы.

Применение:

  • Мощные преобразователи: используется в высоковольтных преобразователях питания.
  • Инверторы: применяется в инверторах для преобразования постоянного тока в переменный.
  • Изоляционные преобразователи: используется в изоляционных преобразователях для защиты от перенапряжений.
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ457EP-T2_GE3

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    36A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8

Техническая документация

 SQJ457EP-T2_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3113-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3635-Z-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3433-ZJ-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3221-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E2-AT9A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK4146-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2754GR-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK2084L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    HAT1038RJ-ELP-CHANNEL POWER MOSFET
    332Кешбэк 49 баллов
    UPA2792GR(0)-E1-AZSWITCHING N AND P TRANSISTORS
    333Кешбэк 49 баллов
    2SK3712-Z-E1-AZMOSFET N-CH 250V 9A TO252
    335Кешбэк 50 баллов
    2SJ350P-CHANNEL POWER MOSFET
    339Кешбэк 50 баллов
    RJK0380DPA-00#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-02#J0POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-WS#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0230DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    UPA2802T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 18A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0393DPA-0G#J7APOWER TRANSISTOR, MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2803T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 20A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717GR-E1-ATP-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0226DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717AGR-E1-ATMOSFET P-CH 30V 15A 8PSOP
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03M0DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    2SK1093-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    NP48N055MHE-S18-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП