SQJ457EP-T2_GE3

Размеры и производитель:

• Маркировка: SQJ457EP-T2_GE3
• Производитель: Vishay Siliconix

Описание:

• Тип: P-CHANNEL MOSFET
• Номинальное напряжение: 60 В
• Номинальная температура: 175°C
• Пакет: T2 GE3

Основные параметры:

• Vds (напряжение между D и S): 60 В
• Rdson (нормализованное сопротивление канала): 0,027 Ω (при 25°C)
• Qg (максимальный заряд при переходе): 1,2 nC
• Id (максимальный ток при Vgs = 0): 1 A
• Tj (температура корпуса): до 175°C

Плюсы:

• Высокое напряжение: до 60 В.
• Низкое сопротивление: Rdson составляет 0,027 Ω при 25°C, что обеспечивает низкую потери энергии.
• Высокая мощность: способен работать при высоких температурах до 175°C.
• Корпус: T2 GE3 обеспечивает надежную защиту от перегрева и механических повреждений.

Минусы:

• Только для P-канальных MOSFET: не подходит для N-канальных приложений.
• Высокий ток при Vgs = 0: может потребовать дополнительных мер по ограничению тока.

Общее назначение:

• Блокировки: используется для блокировки высокого напряжения.
• Переключатели: применяется для переключения высоковольтных цепей.
• Изоляция: используется для изоляции высоковольтных и низковольтных частей электронной системы.

Применение:

• Мощные преобразователи: используется в высоковольтных преобразователях питания.
• Инверторы: применяется в инверторах для преобразования постоянного тока в переменный.
• Изоляционные преобразователи: используется в изоляционных преобразователях для защиты от перенапряжений.