Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SQJA04EP-T1_BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQJA04EP-T1_BE3

SQJA04EP-T1_BE3

SQJA04EP-T1_BE3
;
SQJA04EP-T1_BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJA04EP-T1_BE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SQJA04EP-T1_BE3 при покупке от 1 шт 321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJA04EP-T1_BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJA04EP-T1_BE3

Основные параметры:

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET.
  • Максимальное напряжение сток-исток Vds: 60 В.
  • Рабочая температура: до 175°C.
  • Производитель: Vishay Siliconix.
  • Обозначение: SQJA04EP-T1_BE3 (указывает на конкретную модель и, возможно, особенности упаковки или партии).

Плюсы:

  • Высокая рабочая температура (175°C) позволяет использовать его в условиях повышенного нагрева, что характерно для автомобильной электроники или промышленных применений.
  • N-канальный тип обеспечивает простоту управления для большинства применений.
  • MOSFET-технология гарантирует низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)), что минимизирует потери мощности и нагрев.
  • Vishay Siliconix – известный производитель полупроводников, что обычно подразумевает высокое качество и надежность.

Минусы:

  • Напряжение 60 В может быть недостаточным для некоторых высоковольтных применений.
  • Конкретный корпус (не указан, но подразумевается из SQJA04EP-T1_BE3) может ограничивать возможности рассеивания тепла при высоких токах.

Общее назначение:

SQJA04EP-T1_BE3 предназначен для использования в качестве ключа (переключателя) или усилителя в цепях постоянного тока. Его высокая температурная стойкость делает его особенно подходящим для применения в условиях, где другие MOSFET могут перегреваться.

Применение в устройствах:

  • Автомобильная электроника (системы управления двигателем, освещение, инверторы, преобразователи DC-DC).
  • Промышленные источники питания и преобразователи.
  • Управление двигателями постоянного тока.
  • Системы управления питанием.
  • Светодиодное освещение (драйверы).
  • Защита от перенапряжения и перегрузки.
Выбрано: Показать

Характеристики SQJA04EP-T1_BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8

Техническая документация

 SQJA04EP-T1_BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    321 ₽
  • 3000
    86 ₽
  • 6000
    81 ₽
  • 9000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJA04EP-T1_BE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SQJA04EP-T1_BE3 при покупке от 1 шт 321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJA04EP-T1_BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJA04EP-T1_BE3

Основные параметры:

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET.
  • Максимальное напряжение сток-исток Vds: 60 В.
  • Рабочая температура: до 175°C.
  • Производитель: Vishay Siliconix.
  • Обозначение: SQJA04EP-T1_BE3 (указывает на конкретную модель и, возможно, особенности упаковки или партии).

Плюсы:

  • Высокая рабочая температура (175°C) позволяет использовать его в условиях повышенного нагрева, что характерно для автомобильной электроники или промышленных применений.
  • N-канальный тип обеспечивает простоту управления для большинства применений.
  • MOSFET-технология гарантирует низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)), что минимизирует потери мощности и нагрев.
  • Vishay Siliconix – известный производитель полупроводников, что обычно подразумевает высокое качество и надежность.

Минусы:

  • Напряжение 60 В может быть недостаточным для некоторых высоковольтных применений.
  • Конкретный корпус (не указан, но подразумевается из SQJA04EP-T1_BE3) может ограничивать возможности рассеивания тепла при высоких токах.

Общее назначение:

SQJA04EP-T1_BE3 предназначен для использования в качестве ключа (переключателя) или усилителя в цепях постоянного тока. Его высокая температурная стойкость делает его особенно подходящим для применения в условиях, где другие MOSFET могут перегреваться.

Применение в устройствах:

  • Автомобильная электроника (системы управления двигателем, освещение, инверторы, преобразователи DC-DC).
  • Промышленные источники питания и преобразователи.
  • Управление двигателями постоянного тока.
  • Системы управления питанием.
  • Светодиодное освещение (драйверы).
  • Защита от перенапряжения и перегрузки.
Выбрано: Показать

Характеристики SQJA04EP-T1_BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8

Техническая документация

 SQJA04EP-T1_BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3113-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3635-Z-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3433-ZJ-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    2SK3221-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    324Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E2-AT9A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK4146-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2760T1A-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2727T1A-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    UPA2754GR-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    2SK2084L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    HAT1038RJ-ELP-CHANNEL POWER MOSFET
    332Кешбэк 49 баллов
    UPA2792GR(0)-E1-AZSWITCHING N AND P TRANSISTORS
    333Кешбэк 49 баллов
    2SK3712-Z-E1-AZMOSFET N-CH 250V 9A TO252
    335Кешбэк 50 баллов
    2SJ350P-CHANNEL POWER MOSFET
    339Кешбэк 50 баллов
    RJK0380DPA-00#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-02#J0POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0380DPA-WS#J53POWER TRANSISTOR, MOSFET
    341Кешбэк 51 балл
    RJK0230DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    UPA2802T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 18A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0393DPA-0G#J7APOWER TRANSISTOR, MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2803T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 20A 8DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717GR-E1-ATP-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03P6DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    RJK0226DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    UPA2717AGR-E1-ATMOSFET P-CH 30V 15A 8PSOP
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03M0DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    2SK1093-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла
    NP48N055MHE-S18-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    352Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП