Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3
;
SQJB90EP-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SQJB90EP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8Все характеристики

Минимальная цена SQJB90EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 345.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJB90EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3 — это MOSFET (Металл-оксид-кремниевый полупроводниковый транзистор) с негативным проводимостью, мощностью 80В и телеметрической структурой, разработанный Vishay Semiconductors.

  • Основные параметры:
    • VDS(on) — напряжение при прохождении тока в режиме насыщения: 3.5 В
    • ID(on) — ток в режиме насыщения: 4.6 А
    • RDS(on) — сопротивление в режиме насыщения: 0.75 Ω
    • Cox — поверхностная емкость: 4.0 nF
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи
    • Низкое сопротивление в режиме насыщения
    • Высокая скорость переключения
    • Компактный размер
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного байпаса для уменьшения RDS(on)
    • Низкая термическая стабильность при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений
    • Передача сигналов
    • Управление нагрузками
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Электронные устройства управления
    • Питание портовых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики SQJB90EP-T1_GE3

Техническая документация

SQJB90EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 26840 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    345 ₽
  • 10
    232 ₽
  • 100
    156 ₽
  • 1000
    113 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SQJB90EP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8Все характеристики

Минимальная цена SQJB90EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 345.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJB90EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3 — это MOSFET (Металл-оксид-кремниевый полупроводниковый транзистор) с негативным проводимостью, мощностью 80В и телеметрической структурой, разработанный Vishay Semiconductors.

  • Основные параметры:
    • VDS(on) — напряжение при прохождении тока в режиме насыщения: 3.5 В
    • ID(on) — ток в режиме насыщения: 4.6 А
    • RDS(on) — сопротивление в режиме насыщения: 0.75 Ω
    • Cox — поверхностная емкость: 4.0 nF
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи
    • Низкое сопротивление в режиме насыщения
    • Высокая скорость переключения
    • Компактный размер
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного байпаса для уменьшения RDS(on)
    • Низкая термическая стабильность при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений
    • Передача сигналов
    • Управление нагрузками
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Электронные устройства управления
    • Питание портовых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики SQJB90EP-T1_GE3

Техническая документация

SQJB90EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории