Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3
;
SQM110P06-8M9L_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SQM110P06-8M9L_GE3 при покупке от 1 шт 780.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQM110P06-8M9L_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным зарядом канала, выпущенный компанией Vishay Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 60В
  • Номинальная токовая способность (ID): 110А
  • Форм-фактор корпуса: TO263

Плюсы:

  • Высокая токовая способность
  • Устойчивость к высоким напряжениям
  • Малое значение RDS(on), что обеспечивает низкую потери энергии при работе
  • Доступен в компактном корпусе TO263, что удобно для монтажа

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках из-за потерь энергии
  • Высокие значения тока могут привести к перегреву, если не обеспечить надлежащего охлаждения

Общее назначение:

  • Использование в силовых электропитаниях
  • Регулирование напряжения в различных системах
  • Защита электронных устройств от перенапряжений

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Силовых преобразователях
  • Маршрутизаторах и других сетевых устройствах
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SQM110P06-8M9L_GE3

Техническая документация

SQM110P06-8M9L_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2445 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    780 ₽
  • 10
    514 ₽
  • 100
    362 ₽
  • 800
    282 ₽
  • 1600
    269 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SQM110P06-8M9L_GE3 при покупке от 1 шт 780.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQM110P06-8M9L_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным зарядом канала, выпущенный компанией Vishay Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 60В
  • Номинальная токовая способность (ID): 110А
  • Форм-фактор корпуса: TO263

Плюсы:

  • Высокая токовая способность
  • Устойчивость к высоким напряжениям
  • Малое значение RDS(on), что обеспечивает низкую потери энергии при работе
  • Доступен в компактном корпусе TO263, что удобно для монтажа

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках из-за потерь энергии
  • Высокие значения тока могут привести к перегреву, если не обеспечить надлежащего охлаждения

Общее назначение:

  • Использование в силовых электропитаниях
  • Регулирование напряжения в различных системах
  • Защита электронных устройств от перенапряжений

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Силовых преобразователях
  • Маршрутизаторах и других сетевых устройствах
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SQM110P06-8M9L_GE3

Техническая документация

SQM110P06-8M9L_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории