Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SSM3J35MFV,L3F
  • В избранное
  • В сравнение
SSM3J35MFV,L3F

SSM3J35MFV,L3F

SSM3J35MFV,L3F
;
SSM3J35MFV,L3F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    SSM3J35MFV,L3F
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 100MA VESMВсе характеристики

Минимальная цена SSM3J35MFV,L3F при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM3J35MFV,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM3J35MFV,L3F

SSM3J35MFV, L3F Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 100mA VESM

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (полупроводниковый транзистор с туннельным окном)
    • Тип канала: P-канальный (P-CH)
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Номинальный ток: 100mA
    • Обозначение: SSM3J35MFV, L3F, VESM
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малое сопротивление при прохождении тока
    • Короткий тайм-аут (время отклика)
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения при работе на полную мощность
    • Неустойчивость к низким уровнем напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение токов
    • Уменьшение потерь энергии
  • Применение:
    • Мобильные устройства (ноутбуки, смартфоны)
    • Автомобили (адаптеры зарядки)
    • Измерительная и контролирующая техника
    • Системы управления электрическими моторами
Выбрано: Показать

Характеристики SSM3J35MFV,L3F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 50mA, 4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12.2 pF @ 3 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Корпус
    SOT-723
  • Base Product Number
    SSM3J35

Техническая документация

 SSM3J35MFV,L3F.pdf
pdf. 0 kb
  • 48878 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 100
    14.2 ₽
  • 1000
    9.1 ₽
  • 8000
    6.2 ₽
  • 24000
    5.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    SSM3J35MFV,L3F
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 100MA VESMВсе характеристики

Минимальная цена SSM3J35MFV,L3F при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM3J35MFV,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM3J35MFV,L3F

SSM3J35MFV, L3F Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 100mA VESM

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (полупроводниковый транзистор с туннельным окном)
    • Тип канала: P-канальный (P-CH)
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Номинальный ток: 100mA
    • Обозначение: SSM3J35MFV, L3F, VESM
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малое сопротивление при прохождении тока
    • Короткий тайм-аут (время отклика)
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения при работе на полную мощность
    • Неустойчивость к низким уровнем напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение токов
    • Уменьшение потерь энергии
  • Применение:
    • Мобильные устройства (ноутбуки, смартфоны)
    • Автомобили (адаптеры зарядки)
    • Измерительная и контролирующая техника
    • Системы управления электрическими моторами
Выбрано: Показать

Характеристики SSM3J35MFV,L3F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 50mA, 4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12.2 pF @ 3 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Корпус
    SOT-723
  • Base Product Number
    SSM3J35

Техническая документация

 SSM3J35MFV,L3F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN5L06K-7MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    DMN10H170SFG-7MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
    72Кешбэк 10 баллов
    DMN2015UFDE-7MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
    119Кешбэк 17 баллов
    DMP2023UFDF-7MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
    123Кешбэк 18 баллов
    DMP1245UFCL-7MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
    129Кешбэк 19 баллов
    DMN2005UPS-13MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
    137Кешбэк 20 баллов
    DMN3115UDM-7MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
    148Кешбэк 22 балла
    DMP1011UCB9-7MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
    154Кешбэк 23 балла
    DMN10H099SFG-7MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
    160Кешбэк 24 балла
    DMP2047UCB4-7MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
    168Кешбэк 25 баллов
    ZXMN6A08E6QTAMOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
    186Кешбэк 27 баллов
    DMP3015LSS-13MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
    192Кешбэк 28 баллов
    DMTH4004SPS-13MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
    204Кешбэк 30 баллов
    ZXMN2A03E6TAMOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
    206Кешбэк 30 баллов
    ZVN2110ASTZMOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
    206Кешбэк 30 баллов
    ZXMN7A11KTCТранзистор: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
    231Кешбэк 34 балла
    DMP3008SFGQ-7MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
    237Кешбэк 35 баллов
    ZXMP3A16N8TAMOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
    237Кешбэк 35 баллов
    ZVN0124AMOSFET N-CH 240V 160MA TO92-3
    242Кешбэк 36 баллов
    DMPH6050SK3Q-13MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
    246Кешбэк 36 баллов
    DMN7022LFG-7MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
    249Кешбэк 37 баллов
    ZVN4206ASTZMOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
    260Кешбэк 39 баллов
    DMP2007UFG-7MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
    266Кешбэк 39 баллов
    DMT10H015LSS-13MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
    271Кешбэк 40 баллов
    ZXMN10A25KTCMOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
    284Кешбэк 42 балла
    DMNH4011SK3Q-13MOSFET N-CH 40V 50A TO252
    311Кешбэк 46 баллов
    DMP2002UPS-13MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
    530Кешбэк 79 баллов
    2N7002-TPТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
    6.8Кешбэк 1 балл
    2N7002K-TPMOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
    41Кешбэк 6 баллов
    AO6402AMOSFET N-CH 30V 7.5A 6TSOP
    24.4Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП