SSM3J374R,LXHF

SSM3J374R, LXHF Toshiba SMOS P-CH VDSS: -30V VGSS: -20/+10

• Тип: MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор)
• Тип поля: P-канальный (P-Channel)
• Напряжение дренажа: VDSS: -30В
• Напряжение сигнала управления: VGSS: -20/+10В

Основные параметры:

• Минимальное напряжение отключения: -20В
• Максимальное напряжение управления: +10В
• Максимальное напряжение дренажа: -30В

Плюсы:

• Высокая надежность
• Устойчивость к электрическим шумам
• Низкий ток срабатывания
• Малый размер и легкость монтажа

Минусы:

• Необходимость использования дополнительного источника питания для обеспечения отрицательного напряжения на входе управления
• Требуется более сложная схемотехника для работы с отрицательным напряжением

Общее назначение:

• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Изоляция логических цепей
• Контроль нагрузки

Применяется в:

• Мобильных устройствах
• Автомобильной электронике
• Инверторах и преобразователях
• Электронных системах управления