Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SSM6J213FE(TE85L,F

SSM6J213FE(TE85L,F

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SSM6J213FE(TE85L,F при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6J213FE(TE85L,F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SSM6J213FE(TE85L,F

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    103mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    290 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Base Product Number
    SSM6J213
Техническая документация
SSM6J213FE(TE85L,F.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SSM6J213FE(TE85L,F при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6J213FE(TE85L,F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SSM6J213FE(TE85L,F

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    103mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    290 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Base Product Number
    SSM6J213
Техническая документация
SSM6J213FE(TE85L,F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории