Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SSM6N16FE,L3F

SSM6N16FE,L3F

SSM6N16FE,L3F
;
SSM6N16FE,L3F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    SSM6N16FE,L3F
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDSВсе характеристики

Минимальная цена SSM6N16FE,L3F при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6N16FE,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM6N16FE,L3F

Транзистор SSM6N16FE, L3F Toshiba Semiconductor and Storage

  • Назначение: Малый сигнал N-канальный MOSFET, используемый для управления током при низких напряжениях.
  • Основные параметры:
    • VGS(th) = 2 V (пороговый напряжение ввода)
    • ID(on) = 20 A (максимальный ток проводимости)
    • RDS(on) = 1.8 mΩ (сопротивление проводимости при максимальном токе)
  • Плюсы:
    • Малая динамическая затухаемость
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление проводимости в режиме нахождения в состоянии проводимости
  • Минусы:
    • Небольшой максимальный ток проводимости по сравнению с большими транзисторами
    • Необходимо учитывать пороговое напряжение при выборе применяемого напряжения питания
  • Общее назначение: Используется для управления током в цифровых и аналоговых электронных устройствах, где требуется высокая скорость переключения и низкое сопротивление проводимости.
  • Применение:
    • Цифровые системы управления
    • Аудиосистемы
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SSM6N16FE,L3F

Техническая документация

SSM6N16FE,L3F.pdf
pdf. 0 kb
  • 7378 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    59 ₽
  • 100
    23 ₽
  • 1000
    14 ₽
  • 8000
    10.4 ₽
  • 24000
    8.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    SSM6N16FE,L3F
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDSВсе характеристики

Минимальная цена SSM6N16FE,L3F при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6N16FE,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM6N16FE,L3F

Транзистор SSM6N16FE, L3F Toshiba Semiconductor and Storage

  • Назначение: Малый сигнал N-канальный MOSFET, используемый для управления током при низких напряжениях.
  • Основные параметры:
    • VGS(th) = 2 V (пороговый напряжение ввода)
    • ID(on) = 20 A (максимальный ток проводимости)
    • RDS(on) = 1.8 mΩ (сопротивление проводимости при максимальном токе)
  • Плюсы:
    • Малая динамическая затухаемость
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление проводимости в режиме нахождения в состоянии проводимости
  • Минусы:
    • Небольшой максимальный ток проводимости по сравнению с большими транзисторами
    • Необходимо учитывать пороговое напряжение при выборе применяемого напряжения питания
  • Общее назначение: Используется для управления током в цифровых и аналоговых электронных устройствах, где требуется высокая скорость переключения и низкое сопротивление проводимости.
  • Применение:
    • Цифровые системы управления
    • Аудиосистемы
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SSM6N16FE,L3F

Техническая документация

SSM6N16FE,L3F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории