SSM6N357R,LF

SSM6N357R, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: SMALL LOW R_ON MOSFET DUAL NCH

• Основные параметры:
• R_ON: 0.21 Ω (при VGS = 10 В)
• V_DS: 60 В
• I_D: 40 А
• Технология производства: Dual N-channel MOSFET
• Объемный размер: Малый размер
• Плюсы:
• Низкий коэффициент сопротивления при включении (R_ON) обеспечивает высокую эффективность работы.
• Малый объемный размер позволяет использовать его в компактных устройствах.
• Высокая токовая способность (I_D) подходит для широкого спектра приложений.
• Высокое напряжение разряда (V_DS) обеспечивает безопасность работы в различных условиях.
• Минусы:
• Существуют ограничения по температуре и напряжению, которые необходимо учитывать при проектировании.
• Общее назначение:
• Переключение высоких токов в электрических цепях.
• Регулирование напряжения в различных электронных устройствах.
• Использование в силовых преобразователях и инверторах.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем.
• Энергосберегающие устройства.
• Промышленное оборудование.
• Инверторы для домашнего использования.