SSM6N62TU,LF

SSM6N62TU, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

• Основные параметры:
• VDS (Максимальное напряжение между дреном и собранием): 60 В
• ID (Максимальный ток дрен-собрание): 200 мА
• RDS(on) (Сопротивление канала при прямом токе): 0,7 Ω (максимально)
• Тип: Н-канальный малосигнальный MOSFET
• Количество: 2 штуки в одном корпусе
• Плюсы:
• Низкое сопротивление канала при прямом токе (RDS(on))
• Высокая надежность и стабильность
• Удобство использования в различных электронных устройствах
• Минусы:
• Высокие требования к тепловыделению из-за небольшого RDS(on)
• Не подходит для высоковольтных приложений
• Общее назначение:
• Регулировка и управление токами в различных электронных устройствах
• Изоляция сигналов в цифровых схемах
• Переключение и управляющее устройство в аналоговых и цифровых схемах
• В каких устройствах применяется:
• Компьютеры и периферийное оборудование
• Мобильные устройства и зарядные блоки
• Автомобильные системы и блоки питания
• Промышленное оборудование и автоматизация