Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SSM6P36FE,LM
  • В избранное
  • В сравнение
SSM6P36FE,LM

SSM6P36FE,LM

SSM6P36FE,LM
;
SSM6P36FE,LM

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    SSM6P36FE,LM
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6Все характеристики

Минимальная цена SSM6P36FE,LM при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6P36FE,LM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM6P36FE,LM

SSM6P36FE, LM Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Количество каналов: 2P-CH (два канала)
    • Рейтинг напряжения: 20В
    • Рейтинг тока: 0.33А
    • Эстимейт стресс: ES6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии
    • Малый размер и легкость для интеграции в дизайн
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Высокие потери при частичном включенном состоянии
    • Нужна дополнительная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в источниках питания
    • Импульсное управление в светодиодах и электронных лампах
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики SSM6P36FE,LM

  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    330mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.2nC @ 4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    43pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Base Product Number
    SSM6P36

Техническая документация

 SSM6P36FE,LM.pdf
pdf. 0 kb
  • 13 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    68 ₽
  • 100
    26.3 ₽
  • 1000
    17.3 ₽
  • 4000
    13.5 ₽
  • 12000
    10.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    SSM6P36FE,LM
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6Все характеристики

Минимальная цена SSM6P36FE,LM при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6P36FE,LM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM6P36FE,LM

SSM6P36FE, LM Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Количество каналов: 2P-CH (два канала)
    • Рейтинг напряжения: 20В
    • Рейтинг тока: 0.33А
    • Эстимейт стресс: ES6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии
    • Малый размер и легкость для интеграции в дизайн
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Высокие потери при частичном включенном состоянии
    • Нужна дополнительная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в источниках питания
    • Импульсное управление в светодиодах и электронных лампах
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики SSM6P36FE,LM

  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    330mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.2nC @ 4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    43pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Base Product Number
    SSM6P36

Техническая документация

 SSM6P36FE,LM.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN61D8LVT-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
    122Кешбэк 18 баллов
    DMC3021LK4-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
    159Кешбэк 23 балла
    DMN6070SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
    115Кешбэк 17 баллов
    DMG1016V-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
    86Кешбэк 12 баллов
    DMN3033LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    172Кешбэк 25 баллов
    DMN61D8LVT-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
    143Кешбэк 21 балл
    DMN3024LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
    167Кешбэк 25 баллов
    DMG4511SK4-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
    211Кешбэк 31 балл
    DMN2050LFDB-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
    124Кешбэк 18 баллов
    DMP3056LSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    178Кешбэк 26 баллов
    DMC3026LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
    176Кешбэк 26 баллов
    BSS8402DWQ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V/50V
    126Кешбэк 18 баллов
    DMC1018UPD-13Транзистор
    152Кешбэк 22 балла
    DMC3032LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
    131Кешбэк 19 баллов
    DMP6050SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
    150Кешбэк 22 балла
    DMG4800LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
    149Кешбэк 22 балла
    DMG1029SV-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V SOT563
    74Кешбэк 11 баллов
    DMP2060UFDB-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
    226Кешбэк 33 балла
    ZXMHC10A07N8TCТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
    235Кешбэк 35 баллов
    DMN2040LTS-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
    132Кешбэк 19 баллов
    DMG9933USD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
    121Кешбэк 18 баллов
    ZDM4306NTAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
    134Кешбэк 20 баллов
    ZXMP6A17DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
    308Кешбэк 46 баллов
    DMC2004DWK-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN3035LWN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
    143Кешбэк 21 балл
    DMN2011UFX-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
    232Кешбэк 34 балла
    DMN67D8LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    DMC3028LSDX-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
    187Кешбэк 28 баллов
    DMN32D2LDF-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
    73Кешбэк 10 баллов
    2N7002DW-7-FТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
    52Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП