Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SSP1N50B

SSP1N50B

SSP1N50B
;
SSP1N50B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SSP1N50B при покупке от 626 шт 90.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSP1N50B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSP1N50B

SSP1N50B Fairchild Semiconductor N-CHANNEL POWER MOSFET

  • Основные параметры:
    • VGS(th): 4 В (транзистор включается при напряжении G-S меньше 4 В)
    • ID(on): 50 А (максимальный ток проводимости)
    • RDS(on): 0.036 Ω (при VGS = 10 В)
    • Ptot: 10 ВА (максимальная мощность)
    • TCASE: 125°C (температура корпуса)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость (низкий RDS(on))
    • Малый ток утечки
    • Малые размеры и вес
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения при высоких нагрузках
    • Наличие паразитных емкостей может вызывать дребезжание
    • Низкий коэффициент температурной стабилизации RDS(on)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача энергии
    • Обработка сигналов
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Питательных сетях электроники
    • Системах управления двигателем
    • Питании портовых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики SSP1N50B

  • 2000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 626 шт
  • Количество
    Цена
  • 626
    90 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SSP1N50B при покупке от 626 шт 90.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSP1N50B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSP1N50B

SSP1N50B Fairchild Semiconductor N-CHANNEL POWER MOSFET

  • Основные параметры:
    • VGS(th): 4 В (транзистор включается при напряжении G-S меньше 4 В)
    • ID(on): 50 А (максимальный ток проводимости)
    • RDS(on): 0.036 Ω (при VGS = 10 В)
    • Ptot: 10 ВА (максимальная мощность)
    • TCASE: 125°C (температура корпуса)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость (низкий RDS(on))
    • Малый ток утечки
    • Малые размеры и вес
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения при высоких нагрузках
    • Наличие паразитных емкостей может вызывать дребезжание
    • Низкий коэффициент температурной стабилизации RDS(on)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача энергии
    • Обработка сигналов
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Питательных сетях электроники
    • Системах управления двигателем
    • Питании портовых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики SSP1N50B

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 626 шт